[发明专利]IC工艺中降低热中子软错误率的方法有效
| 申请号： | 201110210811.0 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102610610A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李永辉;蔡超杰;吴佳芳;曲维正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ic 工艺 降低 热中子 错误率 方法 | ||
1.一种集成电路，包括：
衬底层；
金属层；
保护层，位于所述金属层以上，并且与所述金属层物理接触，其中，所述保护层包括热中子吸收材料。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述保护层包括含有热中子吸收材料的钝化层。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述钝化层包括含有热中子吸收材料的聚酰亚胺层。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述保护层由包括含有热中子吸收材料的氧化层和聚酰亚胺层。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述保护层包括多个子层，在所述子层中的至少一个子层包括额外的热中子吸收材料。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述保护层包括子层，所述子层包括：
第一聚酰亚胺子层，位于所述金属层上；
氧化物子层，位于所述第一聚酰亚胺子层上方；
第二聚酰亚胺子层，位于所述氧化物子层上方；并且
其中，所述子层中的至少一个包括额外的热中子吸收材料。
7.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述保护层包括子层，所述子层包括：
第一聚酰亚胺子层，位于所述金属层上；
屏蔽金属子层，位于所述第一聚酰亚胺子层上方；
氧化物子层，位于所述屏蔽金属子层上方；
第二聚酰亚胺子层，位于所述氧化物子层上方；并且
其中，至少一个所述子层包括额外的热中子吸收材料。
8.根据权利要求4所述的集成电路，其中，包括所述热中子吸收材料的所述保护层通过将所述热中子吸收材料注入到所述氧化层中而形成。
9.根据权利要求4所述的集成电路，其中，包括所述热中子吸收材料的所述保护层通过化学汽相沉积CVD形成。
10.一种形成用于集成电路的热中子吸收层的方法，包括：
形成包括顶部金属层的集成电路；
形成与所述顶部金属层接触的保护层；并且
向保护层添加热中子吸收材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
