[发明专利]底部电极和相变电阻的形成方法

权利要求书

1.一种底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平；

在所述底部电极上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露所述底部电极；

在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料；

去除间隔排列的不同材料中至少一种材料，以所述掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极，在所述底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽；

去除剩余的材料和掩膜层；

在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平；

在剩余的底部电极上形成相变电阻。

2.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物的材料为聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯；

在所述开口内形成嵌段共聚物，对所述嵌段共聚物进行退火将所述嵌段共聚物分成间隔排列的不同材料包括：

在所述开口内形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯，对所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯进行退火，退火之后，所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯材料分成间隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯；

所述去除间隔排列的不同材料中至少一种材料为去除聚甲基丙烯酸甲酯；剩余的材料为聚苯乙烯。

3.如权利要求2所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述在所述开口内形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯的方法为旋涂法。

4.如权利要求2所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，在紫外线的照射下利用醋酸去除聚甲基丙烯酸甲酯。

5.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述以所述掩膜层和剩余的材料为掩膜刻蚀去除部分高度的底部电极的方法为干法刻蚀。

6.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层；

在所述底部电极上形成具有开口的掩膜层包括：

在所述底部电极和第一介质层形成的表面上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，在所述底部电极上形成具有开口的光刻胶层。

7.如权利要求6所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述去除剩余的材料和掩膜层包括：

利用氧等离子体去除剩余的材料和掩膜层。

8.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平包括：

形成第二介质层，填满所述凹槽且覆盖所述第一介质层、剩余的底部电极；

去除高出所述第一介质层表面的第二介质层，剩余所述凹槽内的第二介质层，使所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平。

9.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述底部电极的材料为钨或铜或多晶硅。

11.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的底部电极和相变电阻的形成方法，其特征在于，所述相变电阻的材料为硫族化合物合金。