[发明专利]菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗方法及装置

权利要求书

1.一种菜花状及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗装置，包括酸洗池、溢流池(1)和超声波溢流清洗池(2)，其特征在于：所述的溢流池(1)由至少一个隔板(11)依次分隔成至少两个水池，每个水池的底部具有排水口(12)，相邻的两个水池之间的隔板(11)的上沿具有溢流开口(13)；

所述的超声波清洗池(2)包括清洗水池和设置在清洗水池内的超声波发生器(21)，清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，所述的超声波发生器(21)设置在清洗水池的两相对的侧壁(22)和底部(23)，还具有对清洗液加热的加热装置(24)。

2.如权利要求1所述的菜花状及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗装置其特征是：所述的溢流池(1)为由两个隔板(11)依次分隔成的三个水池。

3.如权利要求2所述的菜花状及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗装置其特征是：所述的两个隔板(11)上的溢流开口(13)高度不同。

4.如权利要求1所述的菜花状及表面附有氧化物的多晶硅原料的清洗装置其特征是：所述的加热装置(24)为由温控开关控制启闭的加热管。

5.一种多晶硅原料的清洗方法：将原材料破碎处理后进行第一次酸洗，氢氟酸与硝酸的体积比为2-3∶1；将第一次酸洗后的原料溢流漂洗，即先放入溢流池水流最下游方向的水池洗，漂洗一段时间后逐渐将原料放入水流最上游的水洗池；PH试纸测水流最上游水洗池中原料的表面酸碱度，呈中性时取出进行第二次酸洗，氢氟酸与硝酸的体积比为1∶5-6；第二次酸洗后的原料进行溢流漂洗；超声溢流漂洗；甩干、烘干；氢氟酸的浓度为48％-50％，硝酸的浓度为67-70％，浓度单位均为ml/ml。

6.权利要求5所述的多晶硅原料的清洗方法，其特征是第一次酸洗时间为30-40min；第一次酸洗后进行溢流漂洗，水流速为10-20吨/小时，常温下进行；第二次酸洗时间为30-40min；第二次酸洗后进行溢流漂洗，时间为30-40min；超声溢流漂洗的时间为1-2小时，温度55-65℃。