[发明专利]一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法有效
| 申请号： | 201110206446.6 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102610516A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张亮;姬峰;胡友存;陈玉文;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光刻 金属 化合物 表面 之间 粘附 方法 | ||
1.一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，一半导体器件所包含的MIM结构的上表面设置有金属/金属化合物层，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：在高温条件下利用含氧气体的等离子体对金属/金属化合物层的上表面进行氧化反应，使金属/金属化合物层的上表面上的金属氧化为金属氧化物；
步骤S2：利用硅基有机物气体的等离子体对金属氧化物进行处理，形成覆盖金属/金属化合物层的上表面的粘结过渡层；
步骤S3： 在粘结过渡层上涂覆粘合促进层后，再旋涂光刻胶或直接在粘结过渡层上旋涂光刻胶。
2.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，步骤S1中高温的范围为100-700℃。
3.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，步骤S1中含氧气体为氧气、臭氧、二氧化碳。
4.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，步骤S2中的硅基有机物气体为含有硅、碳、氢的有机化合物气体，优选的为甲烷、二甲基硅烷。
5.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，步骤S2中粘结过渡层的厚度为数个到数十个原子层的厚度。
6.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，所述粘合促进层的材质为六甲基二硅胺。
7.根据权利要求1所述的提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，其特征在于，所述金属/金属化合物层的材质为铝、铜、钽、氮化钽、钛、氮化钛或钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
