[发明专利]对位误差的评估方法及其掩模

权利要求书

1.一种对位误差的评估方法，其特征在于，包括下列步骤：

制备一第一掩模，包括多个第一元件区域及一第一对位标记，其中该多个第一元件区域均匀地分布于该第一掩模上，该第一对位标记设置于该第一掩模的边缘，各第一元件区域包括多个第一元件图案及多个第一当层检查图案；

制备一第二掩模，包括多个第二元件区域及一第二对位标记，其中该多个第二元件区域均匀地分布于该第二掩模上，该第二对位标记设置于该第二掩模的边缘，各第二元件区域包括多个第二元件图案及多个第二当层检查图案；

根据该第一掩模的第一当层检查图案，进行一第一曝光工艺以形成一第一曝光图案于一晶片上；

根据该第二掩模的第二当层检查图案，进行一第二曝光工艺以形成一第二曝光图案于该晶片上；

测量该第一曝光图案与该第二曝光图案的差异，以此产生一对位误差；

其中该第一当层检查图案及该第二当层检查图案经配置以评估该第一掩模与该第二掩模的图案偏移，该第一对位标记、该第二对位标记、该第一当层检查图案及该第二当层检查图案经配置以评估对位误差。

2.根据权利要求1所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该第一对位标记及该第二对位标记是盒中盒对位标记或先进影像式标记。

3.根据权利要求1所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该第一掩模及该第二掩模为连续掩模。

4.根据申请专利范围第1项所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该第一掩模及该第二掩模为不连续掩模。

5.根据权利要求1所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该第一当层检查图案及该第二当层检查图案各包括一矩形部。

6.根据权利要求1所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该第一当层检查图案及该第二当层检查图案各包括多个第一直立部、多个第二直立部、多个第一水平部及多个第二水平部。

7.根据权利要求6所述的对位误差的评估方法，其特征在于，该多个第一直立部、多个第二直立部、多个第一水平部及多个第二水平部沿着一矩形的4个侧边设置。

8.一种掩模，其特征在于，包括：

多个元件区域，均匀地分布于该掩模上，各元件区域包括多个元件图案及邻近于该多个元件图案的多个当层检查图案；

一对位标记，设置该掩模的边缘；

其中该当层检查图案经配置以评估该掩模的图案偏移，该对位标记及该当层检查图案经配置以评估该掩模与另一掩模在一曝光工艺的对位误差。

9.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，该对位标记为盒中盒对位标记或先进影像式标记。

10.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，该掩模及该另一掩模为连续掩模。

11.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，该掩模及该另一掩模为不连续掩模。

12.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，各当层检查图案包括一矩形部。

13.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，各当层检查图案包括多个第一直立部、多个第二直立部、多个第一水平部及多个第二水平部。

14.根据权利要求13所述的掩模，其特征在于，该多个第一直立部、多个第二直立部、多个第一水平部及多个第二水平部沿着一矩形的4个侧边设置。