[发明专利]平坦化凹槽和形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201110204521.5 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102376563A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赖朝文;林靖凯 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;张奇巧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦 凹槽 形成 半导体 结构 方法 | ||
1.一种平坦化凹槽的方法，其特征在于包括：
提供一基底包括一凹槽部分和一平坦部分；
进行一氧化速率改变步骤以改变上述的凹槽部分的氧化速率，使得上述凹槽部分的氧化速率与上述平坦部分的氧化速率不相同；
形成两层氧化层分别位于上述凹槽部分和上述平坦部分，其中上述的些氧化层的厚度不相同；以及
去除上述的两层氧化层并且于上述的基底上形成一平坦表面。
2.根据权利要求1所述的平坦化凹槽的方法，其特征在于，上述的凹槽部分包括一弧形表面。
3.根据权利要求1所述的平坦化凹槽的方法，其特征在于，上述的氧化速率改变步骤包括一离子注入工艺。
4.根据权利要求3所述的平坦化凹槽的方法，其特征在于，上述的离子注入工艺包括将离子注入上述的凹槽部分。
5.根据权利要求4所述的平坦化凹槽的方法，其特征在于，在上述的凹槽部分的一离子浓度与上述的凹槽部分的深度有关。
6.根据权利要求1所述的平坦化凹槽的方法，其特征在于，进行上述的氧化速率改变步骤后，上述的凹槽部分的氧化速率小于上述的平坦部分的氧化速率。
7.一种形成半导体结构的方法，其特征在于包括：
提供一基底包括一沟渠，其中上述的沟渠包括一侧壁包括一凹槽部分和一平坦部分；
进行一氧化速率改变步骤以改变上述的凹槽部分的氧化速率，使得上述的凹槽部分的氧化速率与上述的平坦部分的氧化速率不相同；
形成两层氧化层分别位在上述的凹槽部分和上述的平坦部分，其中上述两层氧化层的厚度不相同；以及
移除上述两层氧化层并且形成一平坦化的上述侧壁。
8.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，另外包括在氧化速率改变步骤前形成一牺牲层填满上述的沟渠。
9.根据权利要求8所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，上述的牺牲层包括光致抗蝕劑或碳化硅。
10.根据权利要求8所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，在形成上述两层氧化层前，移除上述牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
