[发明专利]非易失性存储器以及其制作方法

权利要求书

1.一种非易失式存储器，包括：

基底；

两电荷捕捉结构，分开地设置在该基底上；

栅极介电层，设置于该基底上，且位于该两电荷捕捉结构之间；

栅极，设置于该栅极介电层以及该两电荷捕捉结构上，其中该两电荷捕捉结构突出于该栅极的两侧；以及

两掺杂区，设置于该栅极两侧的该基底中。

2.如权利要求1所述的非易失式存储器，其中该两电荷捕捉结构包括氧化硅/氮化硅/氧化硅结构。

3.如权利要求1所述的非易失式存储器，还包括至少一第一间隙壁，该第一间隙壁设置于该栅极的侧壁以及该两电荷捕捉结构上。

4.如权利要求3所述的非易失式存储器，其中该第一间隙壁与该两电荷捕捉结构切齐。

5.如权利要求3所述的非易失式存储器，还包括第二间隙壁，该第二间隙壁设置于该第一间隙壁以及该电荷捕捉结构的侧壁。

6.一种非易失式存储器，包括：

基底；

两电荷捕捉结构，分开地设置在该基底上；

栅极介电层，设置于该基底上，且位于该两电荷捕捉结构之间；

栅极，设置于该栅极介电层以及该电荷捕捉结构上；

至少一第一间隙壁，设置于该栅极的侧壁以及该两电荷捕捉结构上，且与该两电荷捕捉结构切齐；以及

两掺杂区，设置于栅极两侧的基底中。

7.如权利要求6所述的非易失式存储器，其中该两电荷捕捉结构包括氧化硅/氮化硅/氧化硅结构。

8.如权利要求6所述的非易失式存储器，其中该两电荷捕捉结构突出于该栅极的两侧。

9.如权利要求6所述的非易失式存储器，还包括第二间隙壁，该第二间隙壁设置于该第一间隙壁以及该电荷捕捉结构的侧壁。

10.一种非易失式存储器的制作方法，包括：

提供基底；

于该基底上依序形成图案化复合层以及栅极层；

图案化该栅极层，以形成栅极；

于该图案化复合层以及该栅极上形成物质层；以及

图案化该物质层以及该图案化复合层，使得该图案化复合层形成两电荷捕捉结构，该物质层形成间隙壁。

11.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中形成该图案化复合层的方法包括：

于该基底上依序形成第一介电层、电荷捕捉层以及第二介电层；

图案化该第二介电层以及该电荷捕捉层，以形成沟槽；以及

于该沟槽中形成第三介电层。

12.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中形成该图案化复合层的方法包括：

于该基底上依序形成第一介电层、电荷捕捉层以及第二介电层；

图案化该第二介电层、该电荷捕捉层以及该第一介电层，以形成沟槽；以及

于该沟槽中形成第三介电层。

13.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中形成该图案化复合层的方法包括：

于该基底上依序形成第一介电层以及电荷捕捉层；

图案化该电荷捕捉层，以形成沟槽；以及

于该沟槽中形成第三介电层。

14.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中形成该图案化复合层的方法包括：

于该基底上依序形成第一介电层以及电荷捕捉层；

图案化该电荷捕捉层以及该第一介电层，以形成沟槽；以及

于该沟槽中形成第三介电层。

15.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中图案化该栅极时，不图案化该图案化复合层。

16.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中图案化该物质层以及该图案化复合层的步骤，包括各向异性蚀刻步骤。

17.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，还包括形成第二间隙壁于该间隙壁以及该电荷捕捉结构的侧壁。

18.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，还包括形成两掺杂区位于该栅极两侧的该基底中。

19.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中各该电荷捕捉结构包括氧化硅/氮化硅/氧化硅结构。

20.如权利要求10所述的非易失式存储器的制作方法，其中该栅极包括多晶硅或金属。