[发明专利]基于场发射冷阴极的阵列X射线源

权利要求书

1.一种基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：该X射线源包括阴极基板（1）、阴极电极（11）、用于发射电子束（7）的场致发射体(12)、反射式阳极靶(13)；其中

在阴极基板（1）上设有阴极电极（11）,在阴极电极（11）上设有场致发射体(12),反射式阳极靶(13)位于阴极基板（1）上方且与阴极基板（1）相对设置，反射式阳极靶(13)与阴极基板(1)平行；场致发射体(12)发射出的电子束（7）轰击到反射式阳极靶(13)上，产生的X射线（8）穿过阴极基板(1)出射。

2.根据权利要求1所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：反射式阳极靶（13）由高原子序数的金属厚板制成，反射式阳极靶（13）为旋转阳极或固定阳极。

3. 根据权利要求1所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：场发射体（12）由对X射线吸收较小的纳米材料构成。

4.根据权利要求3所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：对X射线吸收较小的纳米材料为碳纳米管、纳米氧化锌。

5.根据权利要求1所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：阴极电极（11）由对X射线吸收较小的金属或导电膜构成。

6.根据权利要求5所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：所述X射线吸收较小的金属或导电膜为氧化铟锡、铝。

7. 根据权利要求1所述的基于场发射冷阴极的阵列X射线源，其特征在于：阴极基板（1）是由含铅量小的玻璃构成。