[发明专利]Low-k芯片封装结构无效
| 申请号： | 201110200212.0 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102244061A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | low 芯片 封装 结构 | ||
1. 一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：它包括芯片本体I（2-1）、芯片电极（2-2）和芯片表面钝化层（2-3），所述芯片本体I（2-1）外包覆有薄膜层I（2-4），所述薄膜层I（2-4）背面设置有支撑圆片（2-5），所述芯片电极（2-2）经由再布线金属走线（2-6）转移至芯片周边外的薄膜层I（2-4）上，再布线金属走线（2-6）的终端设置有金属柱（2-7），所述金属柱（2-7）外包覆有薄膜层II（2-8），金属柱（2-7）顶端露出薄膜层II（2-8），在露出的金属柱（2-7）顶端设置有金属层（2-9），所述金属层（2-9）上设置有焊球（2-10）。
2.根据权利要求1所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述金属柱（2-7）采用铜、铜/镍等导电金属，其高度在50μm~100μm之间。
3.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述金属层（2-9）为多层金属，其结构为Ni/Au或者Ni/Pd/Au，金属层（2-9）的厚度不超过5μm。
4.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述薄膜层I（2-4）内还嵌置有芯片本体II（2-11）。
5.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述再布线金属走线（2-6）由金属布线层I（2-6-1）和金属布线层II（2-6-2）组成。
6.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述薄膜层I（2-4）和薄膜层II（2-8）采用非光敏性材料。
7.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述支撑圆片（2-5）为硅片或金属片。
8.根据权利要求1或2所述的一种Low-k芯片封装结构，其特征在于：所述载体原片采用硅基材或者玻璃基材。
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