[发明专利]薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。

背景技术

在半导体装置等的制造工艺中，为了谋求进一步降低布线部的电阻、容量，正在对低介电常数的层间绝缘膜进行开发，作为低介电常数的层间绝缘膜，研究使用非晶形碳膜。另外，在集成电路的制造工序中，使用非晶形碳膜作为硬掩模。

例如美国专利5981000号所示，通过向单片式的等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)装置的腔室内供给环状碳氢化合物气体，在腔室内生成等离子体来形成该非晶形碳膜。另外，在使用单片式的等离子体CVD形成薄膜的过程中，覆盖(coverage)性能较差，因此，研究使用成批式的CVD装置形成非晶形碳膜。

但是，在使用CVD装置来形成非晶形碳膜时，会在反应管的内壁等装置的内部附着反应生成物、反应副生成物等附着物。特别是，易于在处理区域外的低温部、例如排气管上附着附着物。在这样附着有附着物的状态下进行非晶形碳膜的形成处理时，附着物增大，并且，附着物剥离而产生微粒。在该微粒附着于被处理体时，会降低制造的半导体装置(制品)的成品率。因此，研究了一种向利用加热器加热到规定温度的反应管内供给清洁气体来除去被附着在装置内部的附着物的干洗方法。

特别是，难以通过干洗除去像附着于排气管的附着物那样附着在处理区域外的低温部的附着物。除去所需的时间也变长。另外，为了除去被附着于排气管的附着物，一般考虑使用采用等离子体产生器产生的氧自由基、臭氧的方法。这样，装置的初期成本升高。因此，进行自CVD装置拆下排气管等零件，自拆下来的零件除去被附着物的维护作业。该维护作业存在作业人员的劳动量较大、且装置的停止时间(停机时间)变长这样的问题。

发明内容

本发明的第1技术方案的薄膜形成装置的清洗方法在向薄膜形成装置的反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，其特征在于，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。

本发明的第2技术方案的薄膜形成方法的特征在于，包括在被处理体上形成非晶形碳膜的非晶形碳膜形成工序、及通过本发明的第1技术方案的薄膜形成装置的清洗方法来清洗薄膜形成装置的工序。

本发明的第3技术方案的薄膜形成装置通过向薄膜形成装置的反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜，并且，通过形成该非晶形碳膜来除去被附着在装置内部的附着物，其特征在于，包括：加热部件，其用于将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；清洁气体供给部件，其用于供给含有氧气和氢气的清洁气体；控制部件，其用于控制装置各部，上述控制部件控制上述清洁气体供给部件，向利用上述加热部件加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给上述清洁气体，从而将该清洁气体加热到规定的温度而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。

附图说明

图1是表示第1实施方式的热处理装置的图。

图2是表示图1的控制部的结构的图。

图3是表示说明第1实施方式的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成方法的制程程序的图。

图4是表示第2实施方式的热处理装置的图。

图5是表示说明第2实施方式的清洗处理的制程程序的图。

图6是表示说明第3实施方式的清洗处理的制程程序的图。

具体实施方式

下面，对本发明的薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置进行说明。

第1实施方式

在本实施方式中，以使用图1所示的成批式的纵型热处理装置作为薄膜形成装置的情况为例说明本发明。另外，在本实施方式中，以这样的情况为例说明本发明，即，在自热处理装置1的处理气体导入管13供给成膜用气体而在被处理体上形成规定厚度的非晶形碳膜之后，自处理气体导入管13供给含有氧(O₂)气和氢(H₂)气的清洁用气体来除去被附着在装置内部的附着物。