[发明专利]薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置有效
| 申请号： | 201110199995.5 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102339731A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 远藤笃史;久保万身;水永觉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;C23C16/44;C23C16/26;B08B5/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 清洗 方法 | ||
1.一种薄膜形成装置的清洗方法，该清洗方法在向薄膜形成装置的反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，其特征在于，
包括：
加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；
除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置的清洗方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述反应室内加热到规定的温度；
在上述除去工序中，将上述反应室内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置的清洗方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述反应室内加热到350℃～900℃。
4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置的清洗方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述排气管内加热到规定的温度；
在上述除去工序中，将上述排气管内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
5.根据权利要求4所述的薄膜形成装置的清洗方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述排气管内加热到200℃～400℃。
6.一种薄膜形成方法，其特征在于，
包括：
非晶形碳膜形成工序，在被处理体上形成非晶形碳膜；
加热工序，将反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；
除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的上述反应室内和上述排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
7.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述反应室内加热到规定的温度；
在上述除去工序中，将上述反应室内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
8.根据权利要求7所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述反应室内加热到350℃～900℃。
9.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述排气管内加热到规定的温度；
在上述除去工序中，将上述排气管内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
10.根据权利要求9所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在上述加热工序中，将上述排气管内加热到200℃～400℃。
11.一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置通过向薄膜形成装置的反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜，并且，除去由于形成该非晶形碳膜而附着在装置内部的附着物，其特征在于，
包括：
加热部件，其用于将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；
清洁气体供给部件，其用于供给含有氧气和氢气的清洁气体；
控制部件，其用于控制装置各部，
上述控制部件控制上述清洁气体供给部件，向利用上述加热部件加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给上述清洁气体，从而将该清洁气体加热到规定的温度而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
12.根据权利要求11所述的薄膜形成装置，其特征在于，
上述附着物是含有碳和氢的化合物。
13.根据权利要求11所述的薄膜形成装置，其特征在于，
还包括用于将上述反应室内设定为规定压力的反应室压力设定部件；
上述加热部件将上述反应室内加热到350℃～900℃；
上述反应室压力设定部件将上述反应室内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
14.根据权利要求11所述的薄膜形成装置，其特征在于，
还包括用于将上述排气管内设定为规定压力的排气管压力设定部件；
上述加热部件将上述排气管内加热到200℃～400℃；
上述排气管压力设定部件将上述排气管内的压力设定为1.33Pa～2660Pa。
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