[发明专利]一种提高水平井入靶成功率的方法

权利要求书

1.一种提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）使用录井色谱气测仪器测量不同深度地层中C1值；

（2）根据C1值在地层中的分布特征，来划分上段地层和下段地层。

2.如权利要求1所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，在所述步骤（1）前，先根据钻遇地层的特征，判断是否进入山西组地层；若进入山西组地层，则继续进行步骤（1）。

3.如权利要求1或2所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，所述步骤（1）之前，还包括：检查录井色谱气测仪器是否受到污染；当色谱气测仪受到污染时，其过滤装置变成黑色，通过更换过滤装置和采用标准气样进行校验。

4.如权利要求3所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，所述标准气样校验具体是由载气介质携带标准气样进人色谱柱进行分离，然后各组分依次进入检测器，检测出标准烃类组分，对照标准气样烃类组分，判断是否校验合格。

5.如权利要求1所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，所述步骤（2）中划分地层的标准为：当C1含量小于100‰，其小于100‰的C1值占到所钻遇地层所测C1值的90％以上为上段地层；C1含量大于100‰，其大于100‰的C1值占到所钻遇地层所测C1值的90％以上为下段地层。

6.如权利要求1所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，所述步骤（2）后，还包括如下步骤：将井深采用直角坐标，将C1值采用半对数坐标做图，根据井深与C1值变化半对数曲线图特征，结合钻时岩屑和钻遇岩层的厚度，划分上段地层与下段地层。

7.如权利要求6所述的提高水平井入靶成功率的方法，其特征在于，所述上段地层和下段地层的C1值在半对数曲线上表现出：上段地层C1值的对数值总体小于2；下段地层C1值的对数值总体大于2。