[发明专利]紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110194585.1 申请日: 2011-07-12
公开(公告)号: CN102290707A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 马向阳;田野;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 紫外 可见 并存 抽运 随机 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电抽运随机激射器件,包括衬底,其特征在于,所述衬底正面自下而上依次沉积有第一SiO2薄膜、CdO薄膜、ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和Au电极,衬底背面沉积有欧姆接触电极。

2.根据权利要求1所述的电抽运随机激射器件,其特征在于,所述的衬底为电阻率为0.005~50欧姆·厘米的N型硅片。

3.根据权利要求1所述的电抽运随机激射器件,其特征在于,所述CdO薄膜的厚度大于ZnO薄膜的厚度。

4.一种电抽运随机激射器件的制备方法,包括:

(1)采用溶胶-凝胶法在衬底上沉积第一SiO2薄膜;

(2)采用溅射法在第一SiO2薄膜上沉积CdO薄膜;

(3)采用溅射法在CdO薄膜上沉积ZnO薄膜,加热处理;

(4)采用溶胶-凝胶法在ZnO薄膜沉积第二SiO2薄膜;

(5)采用溅射法在第二SiO2薄膜上沉积半透明Au电极,在衬底背面沉积欧姆接触电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(4)中沉积SiO2薄膜后进行加热处理,加热温度400~500℃,加热时间1~2小时。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中加热处理温度为600~800℃,时间为1~5小时。

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