[发明专利]紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法无效
申请号: | 201110194585.1 | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN102290707A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 马向阳;田野;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S5/30 | 分类号: | H01S5/30 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外 可见 并存 抽运 随机 器件 制备 方法 | ||
1.一种电抽运随机激射器件,包括衬底,其特征在于,所述衬底正面自下而上依次沉积有第一SiO2薄膜、CdO薄膜、ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和Au电极,衬底背面沉积有欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的电抽运随机激射器件,其特征在于,所述的衬底为电阻率为0.005~50欧姆·厘米的N型硅片。
3.根据权利要求1所述的电抽运随机激射器件,其特征在于,所述CdO薄膜的厚度大于ZnO薄膜的厚度。
4.一种电抽运随机激射器件的制备方法,包括:
(1)采用溶胶-凝胶法在衬底上沉积第一SiO2薄膜;
(2)采用溅射法在第一SiO2薄膜上沉积CdO薄膜;
(3)采用溅射法在CdO薄膜上沉积ZnO薄膜,加热处理;
(4)采用溶胶-凝胶法在ZnO薄膜沉积第二SiO2薄膜;
(5)采用溅射法在第二SiO2薄膜上沉积半透明Au电极,在衬底背面沉积欧姆接触电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(4)中沉积SiO2薄膜后进行加热处理,加热温度400~500℃,加热时间1~2小时。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中加热处理温度为600~800℃,时间为1~5小时。
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