[发明专利]一种新的全自动检测泵失效的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于对泵进行全自动检测失效的方法。

背景技术

泵是为工艺腔室提供一定的真空度，从而使硅片得以在工艺腔室的一定真空环境下进行工艺制成。如果泵发生失效，例如抽速不够，会造成工艺腔室中有残余气体而对硅片产生颗粒影响；严重失效时，会使工艺腔室气流倒灌，从而对工艺中的硅片产生严重的颗粒沾污导致硅片报废。目前业界通用的泵的检测方法是人工停机人工检测，但频率最多为每天一次。传统的方法会带来的人力资源消耗与机时的浪费，而且检测频率远不能覆盖产能所带来的硅片风险。

图1为一种工艺周期过程的示意图，请参见图1所示。在现有的一次工艺周期1中通过执行一次工艺制造菜单（wafer process recipe）和一腔室清洁菜单（chamber clean recipe）来进行制作过程。然后再继续执行下一次工艺周期2。 

发明内容

本发明提供一种新的全自动检测泵失效的方法，通过在现有工艺程式结束前增加设定特定的条件步骤，用来自动检测泵的底压，从而避免人工停机人工检测所带来的资源消耗与机时的浪费，同时也解决传统的检测方法的频率太低所带来的产能风险。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种新的全自动检测泵失效的方法，其中，硅片是依次传送至工艺腔室中以进行制造过程，并且泵是用于为工艺腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工艺腔室中结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前，增加泵的底压检测的步骤，用于检测位于工艺周期中的泵的底压状态。

本发明的进一步实施例中，上一片硅片结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前为一次工艺周期，并且该一次工艺周期依次包括硅片制造步骤和腔室清洁步骤。

本发明的进一步实施例中，在硅片制造步骤中，硅片位于工艺腔室中。

本发明的进一步实施例中，在腔室清洁步骤中，硅片不在工艺腔室中。

本发明的进一步实施例中，底压检测条件步骤具体为：在上一片硅片结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前，并且在腔室清洁步骤结束之前，插入对泵的底压检测步骤。

本发明的进一步实施例中，若对腔室测出的气压底压数值低于设定值，则检测泵的功效符合要求，使得其他的硅片进入工艺腔室以完成下一个工艺周期。 

本发明的进一步实施例中，若对腔室测出的气压底压数值高于或等于设定值，并在3秒钟内腔室测出的气压底压数值仍高于或等于设定值，则设置系统报警，并且自动跳过检测条件步骤，停止开始下一片硅片的制造过程。

本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是：

通过在工艺程式结束前增加设定特定的条件步骤， 用来自动检测泵的底压。检测设置在上一片硅片结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前。有效地实现泵的全自动底压检测，并防止由于泵失效产生的颗粒导致的硅片报废。

附图说明

图1是一种工艺周期过程的示意图；

图2是一种新的全自动检测泵失效的方法的示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明一种新的全自动检测泵失效的方法的具体实施方式。

图2为一种新的全自动检测泵失效的方法的示意图，请参见图2所示。本发明的一种新的全自动检测泵失效的方法，硅片是依次传送至工艺腔室中以进行制造过程，并且泵用于为工艺腔室抽取一定的真空度，在一次工艺周期1结束前，即在上一片硅片结束制造后，下一片硅片还没有进入工艺腔室前，增加一泵的底压检测条件步骤3，用来自动检测位于工艺周期1中的泵的底压状态。

本发明在上述基础上还具有如下实施方式：

一次工艺周期1具体包括有执行一次硅片制造步骤（即通过选择工艺制造菜单11）和一次腔室清洁步骤（即通过选择腔室清洁菜单12），同时，在硅片制造步骤中，硅片位于工艺腔室中；当硅片在腔室清洁步骤中，硅片不在工艺腔室中。然后对腔室进行底压检测，若腔室测出的气压底压数值符合要求，将其他的硅片进入工艺腔室以完成下一次工艺周期2。

本发明在上述基础上采取的实施方式如下：