[发明专利]半导体发光装置的制造方法

说明书

相关发明的引用

本申请案基于并要求提交于2010年6月7日的日本专利申请号No.2010-130426和提交于2011年5月19日的日本专利申请号No.2011-112272的优先权。本发明援引上述全部的内容。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置的制造方法。

背景技术

公知有将LED(发光二级管)芯片和荧光体层组合而得到白色的半导体发光装置。放出到外部的光的颜色(波长)依赖于发光层的发光波长、荧光体层的种类、厚度等。

发明内容

本发明的实施方式提供一种降低颜色偏差的半导体发光装置的制造方法。

根据本发明的实施方式，半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体中的上述第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序。上述半导体层包含基板、第一主面、在其相反侧形成的第二主面和发光层，并通过分离槽在上述基板上被分离成多个。上述第一电极设于与上述基板相对的相反侧的上述第二主面的具有上述发光层的区域。上述第二电极设于上述第二主面上。上述第一绝缘层设于上述半导体层的上述第二主面侧，具有与上述第一电极相连的第一开口部和与上述第二电极相连的第二开口部。另外，根据实施方式，具备在上述第一绝缘层的上述第二开口部形成第二布线层的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一布线层的与上述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第二布线层的与上述第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序。另外，根据实施方式，具备在上述第一金属柱的侧面和上述第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序。另外、根据实施方式，具备基于从上述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从上述多个半导体层选出的半导体层的上述第一主面上，形成相对于上述光呈透明的透明材料的工序。另外，根据实施方式，具备在上述透明材料上及上述多个半导体层的上述第一主面上，形成荧光体层的工序。

利用本发明的实施方式，可以提供降低了颜色偏差的半导体发光装置的制造方法。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图；

图2(a)～图5(b)是表示第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；

图6(a)～(b)是表示第1实施方式的变形例的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；

图7(a)～图8(b)是表示第二实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意图；

图9是表示第三实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图；

图10(a)及(b)是表示第三实施方式的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；

图11是表示第三实施方式的变形例的半导体发光装置的制造方法的示意剖面图；

图12是蓝色LED的发光波长的晶圆面内分布图。

具体实施方式

下面，参照附图对实施方式进行说明。另外，各附图中对于相同的要素附加相同的符号。另外，在表示工序的附图中，表示出晶圆状态的一部分的区域。

图1是第1实施方式的半导体发光装置的示意剖面图。

本实施方式的半导体发光装置具有半导体层15。半导体层15具有第一主面15a和形成于其相反侧的第二主面。在第二主面侧设有电极、布线层及树脂层，光主要从第一主面15a输出。

半导体层15具有第1半导体层11和第二半导体层13。第一半导体层11例如为n型的GaN层，作为电流的横方向通路起作用。但是，第一半导体层11的导电类型并不限于n型，也可以为p型。第二半导体层13具有利用n型层和p型层夹住发光层(活性层)12的层叠结构。

半导体层15的第二主面侧被加工成凹凸形状，在其第二主面侧设有发光区域15b和非发光区域15c。发光区域15b包含发光层12。非发光区域15c不包含发光层12，例如设于比发光层12的外周(端部)靠外的外侧。

在发光区域15b的表面即第二半导体层13的表面，作为第一电极设有p侧电极16。即，p侧电极16设于包含发光层12的发光区域15b。在非发光区域15c的表面即第一半导体层11的表面，作为第二电极设有n侧电极17。在一个芯片(半导体层15)中，发光区域15b的面积比非发光区域15c的面积要大，p侧电极16的面积比n侧电极17的面积要大。因此，可以较宽地确保发光区域。