[发明专利]半导体发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具备：

在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序，所述层叠体包含：基板；半导体层，含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层，且通过分离槽在所述基板上被分离成多个；第一电极，设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域；第二电极，设于所述第二主面上；以及所述第一绝缘层，设于所述半导体层的所述第二主面侧，具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部；

在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序；

在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序；

在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序；

在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间，形成第二绝缘层的工序；

基于从所述第一主面侧得到的光的发光光谱，在从所述多个半导体层中选出的半导体层的所述第一主面上，形成对于所述光呈透明的透明材料的工序；以及

在所述透明材料上及所述多个半导体层的所述第一主面上，形成荧光体层的工序。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

以所述荧光体层的上表面成为平坦的方式形成所述荧光体层。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

形成所述透明材料的工序具有：

向所述第一主面上提供液态的透明树脂的工序；以及

使提供到所述第一主面上的透明树脂固化的工序。

4.如权利要求3所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

基于所述发光光谱调整所述透明树脂的提供量。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

还具备根据所述发光光谱来算出含有所述多个半导体层的晶圆的面内的色度偏差的工序，

基于所述色度偏差，形成所述透明材料。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

越是所述荧光体层相对地变薄的部分，就越厚地形成所述透明材料。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，从所述半导体层的所述第一主面到所述荧光体层的上表面的距离，在存在所述透明树脂的部分和不存在所述透明树脂的部分基本相同。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

还具备在形成所述透明材料之前，在由于所述基板的去除而露出的所述第一主面和所述第一布线层之间施加电压，使所述发光层发光，测量从所述第一主面发出的光的所述发光光谱的工序。

9.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具备：

在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序，所述层叠体包含：基板；半导体层，含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层且由分离槽在所述基板上分离成多个；第一电极，设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域；第二电极，设于所述第二主面上；以及所述第一绝缘层，设于所述半导体层的所述第二主面侧，具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部；

在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序；

在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序；

在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序；

在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间，形成第二绝缘层的工序；

在所述第一主面上形成第一荧光体层的工序；

基于从所述第一荧光体层侧得到的光的发光光谱，在从所述多个半导体层中选出的半导体层上的所述第一荧光体层上，形成对于所述光呈透明的透明材料的工序；

在所述透明材料及所述第一荧光体层上，形成第二荧光体层的工序。

10.如权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

所述第一荧光体层和所述第二荧光体层含有同种类的荧光体粒子。