[发明专利]用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110192217.3 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102351430A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 史伟民;马磊;杨伟光;刘功龙;陈亮亮;刘晟;胡喆;周杰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 辐射 探测器 多晶 碘化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法，其特征在于该方法具有如下工艺过程和步骤：
a．碘化汞薄膜的制备： 将2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐(又名汞溴红)、碘酊试剂按[Hg2+]和 [I?]的配合要求，各配制成浓度为20g/L的溶液，并取用两者溶液的体积比为1:3；将两者的混合溶液倒入实验装置中；实际装置中的旋转磁子以每分钟500 rpm的速度转动，使两种试剂充分反应；0.5h后，游离出来的金属Hg+与I-离子充分结合形成HgI2分子，这时调整旋转磁子的速度转动为每分钟200 rpm，并倒入等量的无水酒精，其目的是为了加速后续步骤的蒸发；然后垂直插入分别经过丙酮、无水酒精和去离子水超声15分钟后烘干了的光滑ITO导电玻璃基片，并使其在20℃的温度下进行生长；4天后，溶剂接近完全蒸发，取出ITO基片，此时ITO基片表面长有一层红色的薄膜，薄膜厚度约为800nm；
b．碘化汞晶粒的长大： 将制得的上述样品放置在退火炉内，以105 ℃恒温在氮气气氛中退火0.5h；最终得到多晶碘化汞薄膜。
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