[发明专利]一种位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法

权利要求书

1.一种位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于该还原过程是在紫外光的辐射下，用小分子位阻胺类光稳定剂对氧化石墨烯片层上的官能团进行的选择性催化还原；具体过程包括：在紫外光源的照射下，通过向氧化石墨烯的溶液中加入小分子位阻胺催化剂，然后在20～100℃的温度范围内持续搅拌，直至溶液的颜色不再发生改变，然后通过萃取的办法，去除溶液中的小分子位阻胺催化剂，最后通过干燥得到可再分散的还原石墨烯粉体。

2.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于所述的氧化石墨烯溶液，其溶剂是水、乙醇或甲醇。

3.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于所述的小分子位阻胺类光稳定剂的主体结构为2，2，6，6-四甲基哌啶。

4.根据权利要求3所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于所述的主体结构为2，2，6，6-四甲基哌啶包括：2，2，6，6-四甲基哌啶-4-酮、2，2，6，6-四甲基哌啶-4-醇或4-氨基-2，2，6，6-四甲基哌啶位阻胺类光稳定剂小分子。

5.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于所述的紫外光源的波长为200-400nm，功率介于20～230W之间，功率密度介于600mW/cm²～3800mW/cm²之间，于开放的空气气氛中，持续照射时间约为0.1～5小时。

6.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于紫外光照射氧化石墨烯溶液的同时，对溶液进行恒温水浴处理，保护处理方式选择电子恒温水浴槽与干式金属恒温槽中的一种，控制温度在20-100℃范围，搅拌速度介于30～300转/分之间。

7.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于去除溶液中的小分子位阻胺催化剂的方法为：首先将还原后的混合溶液转移至大量洗涤溶剂中，然后用梨形漏斗移取分层液体，或高速离心提取底部沉淀物，多次重复直至洗涤清液的紫外-可见吸收光谱中无催化剂响应信号。

8.根据权利要求1所述的位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法，其特征在于所述的干燥过程是微热、真空干燥或冷冻干燥三种方式中的任意一种，其中：微热干燥温度应介于30℃～50℃之间；真空干燥温度应低于30℃，相对真空度低于-0.01MPa；冷冻干燥温度介于0～-50℃，相对真空度低于-0.015MPa。