[发明专利]发光器件封装有效
| 申请号: | 201110191007.2 | 申请日: | 2011-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN102315207A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 尹载畯 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陆弋;王伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件封装,包括:
发光器件,所述发光器件包括至少一个发光二极管;以及
本体,所述本体包括第一引线框架和第二引线框架,所述发光器件安装在所述第一引线框架上,所述第二引线框架与所述第一引线框架间隔开,
其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域,然后沿着与所述第一方向交叉的第二方向弯曲。
2.一种发光器件封装,包括:
发光器件,所述发光器件包括至少一个发光二极管;以及
本体,所述本体包括第一引线框架和第二引线框架,所述发光器件安装在所述第一引线框架上,所述第二引线框架与所述第一引线框架间隔开,
其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域,然后沿着与所述第一方向交叉的第二方向弯曲,并且
其中,所述本体具有与所述发光器件邻近的多个内表面,并且所述多个内表面中的第一内表面和第二内表面中的至少一个设置有延伸部,所述延伸部在朝向所述发光器件的方向上延伸并且与所述第一引线框架及所述第二引线框架中的至少一个引线框架的上部接触。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述预定长度是所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度的0.7倍至0.9倍。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架包括:
与所述外表面邻近的第一表面;以及
与所述第一表面相反的第二表面,
其中,所述第一表面与所述外表面之间的距离是所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度的0.1倍至0.9倍。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架包括:
与所述外表面邻近的第一表面;以及
与所述第一表面相反的第二表面,
其中,所述第一表面的至少一部分与所述外表面接触。
6.根据权利要求4或5所述的发光器件封装,其中,所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面在所述弯曲区域处设置有凹槽。
7.根据权利要求6所述的发光器件封装,其中,所述凹槽具有V形或U形形状。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度在0.1mm至0.3mm的范围内。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的弯曲区域具有在30度至90度范围内的弯曲角度。
10.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中:
所述第一引线框架包括凹部区域;并且
所述第二引线框架包括朝向所述凹部区域的凸出区域。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装,还包括:
至少一个第一焊盘,所述至少一个第一焊盘邻近于所述凹部区域定位并且连接到所述发光器件的第一端子;以及
至少一个第二焊盘,所述至少一个第二焊盘位于所述凸出区域中并且连接到所述发光器件的第二端子,其中,所述第二焊盘的至少一部分与所述第一焊盘重叠。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装,其中:
所述至少一个第一焊盘和所述至少一个第二焊盘分别包括多个第一焊盘和多个第二焊盘;并且
所述多个第一焊盘中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘中的至少一个第二焊盘至少部分重叠。
13.根据权利要求11所述的发光器件封装,其中,所述第一焊盘和所述第二焊盘、所述凹部区域以及所述凸出区域被设置成数目相等。
14.根据权利要求1或2所述的发光器件封装,其中,所述本体在所述第一引线框架和所述第二引线框架之上具有空腔,并且
所述发光器件封装还包括:
在所述空腔中形成的树脂材料。
15.根据权利要求14所述的发光器件封装,其中,所述树脂材料包括磷光体和光漫射材料中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110191007.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:动态随机存取存储器(DRAM)刷新
- 下一篇:新型波纹管穿线器
- 同类专利
- 专利分类





