[发明专利]定义光阻图案倒线规则的模型、掩膜布局、半导体基板及方法

权利要求书

1.一种定义光阻图案倒线规则的模型，应用于光学近接修正，包括两第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸，该第一尺寸及该第二尺寸相对应一掩膜布局的两第一线型图案的两第一宽度b及一第二线型图案的一第二宽度c，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第三尺寸及该第四尺寸相对应该第二线型图案与所述第一线型图案间的一第一距离a及一第二距离d；

其特征在于，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。

2.根据权利要求1所述的定义光阻图案倒线规则的模型，其特征在于该第一宽度b≤130纳米且该第一距离a≤1.2b。

3.根据权利要求1所述的定义光阻图案倒线规则的模型，其特征在于该光阻图案为双层光阻图案。

4.一种防止光阻图案倒线的掩膜布局，应用于光学近接修正，包括至少一区域，该区域包括两第一线型图案及一第二线型图案，该第一线型图案具有一第一宽度b，该第二线型图案具有一第二宽度c，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第二线型图案与所述第一线型图案之间具有一第一距离a及一第二距离d；

其特征在于，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。

5.根据权利要求4所述防止光阻图案倒线的掩膜布局，其特征在于该第一宽度b≤130纳米且该第一距离a≤1.2b。

6.根据权利要求4所述防止光阻图案倒线的掩膜布局，其特征在于该光阻图案为双层光阻图案。

7.一种半导体基板，包括一具有光阻图案的光阻层，该光阻图案包括至少一区域，该区域包括两第一线型图案及至少一第二线型图案，该光阻图案相对应一掩膜布局，该掩膜布局包括至少一区域，该掩膜布局的该区域包括具有一第一宽度b的两第一线型图案及具有一第二宽度c的一第二线型图案，该掩膜布局的该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该掩膜布局的该第二线型图案与所述第一线型图案之间具有一第一距离a及一第二距离d；

其特征在于，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该掩膜布局的该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。

8.根据权利要求7所述的半导体基板，其特征在于该第一宽度b≤130纳米且该第一距离a≤1.2b。

9.根据权利要求7所述的半导体基板，其特征在于该光阻图案为双层光阻图案。

10.一种光阻图案倒线的定义方法，应用于光学近接修正，其特征包括以下步骤：

依据至少一测试光阻图案的倒线部分收集至少一测试掩膜布局的倒线条件，该至少一测试光阻图案为利用该至少一测试掩膜布局所形成；

依据该倒线条件建立光阻图案倒线规则；

进行一光学近接修正，利用一掩膜布局定义一光阻图案；及

依据该光阻图案倒线规则检查该光阻图案的倒线。

11.根据权利要求10所述的光阻图案倒线的定义方法，该掩膜布局包括具有一第一宽度b的两第一线型图案及具有一第二宽度c的一第二线型图案，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第二线型图案与所述第一线型图案之间具有一第一距离a及一第二距离d；

其特征在于，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。

12.根据权利要求11所述的光阻图案倒线的定义方法，其特征在于该第一宽度b≤130纳米且该第一距离a≤1.2b。

13.根据权利要求10所述的光阻图案倒线的定义方法，其特征在于该定义方法还包括一修正步骤，修正经由该光阻图案倒线规则定义的倒线部分，以符合该光阻图案倒线规则所需的非倒线要求。

14.根据权利要求10所述的光阻图案倒线的定义方法，其特征在于该光阻图案为双层光阻图案。