[发明专利]晶圆测试方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体产品测试技术，尤其涉及一种晶圆测试方法及装置。

背景技术

近年来半导体产业飞速发展，大量产品投入市场，不仅刺激了半导体设计产业的进步，芯片的封装测试领域也随之不断进行技术革新。半导体测试包括CP(Circuit Probe)测试和FT(Final Test)，CP(Circuit Probe)测试也称晶圆测试(wafer test)，是半导体产品后道封装测试的第一步，目的是将硅片中的不良芯片挑选出来。

晶圆通常指制作集成电路所用的硅片，在晶圆上的集成电路全部制作完成之后，晶圆上包含若干个芯片(Die)。

如图1所示是已经完成集成电路制作的晶圆的锡球面，晶圆上有序排列着芯片，以CSP封装为例，芯片分为管脚垫(pad)面和锡球面，在锡球面上每个芯片上有圆形的凸起锡球。每个芯片中都包含一个独立的能够实现预定功能的集成电路，芯片是进行封装和测试的基本单元。晶圆测试需要用到的设备包括测试机、探针等。

现有技术中通过将待测晶圆固定在测试机承片台上，管脚垫(pad)面向上，承片台向上移动使得承片台上的芯片接触探针，探针附着在芯片管脚垫上对芯片进行测试。该方法能够适用于近年来多数主流封装格式的半导体芯片。

上述现有技术至少存在以下缺点：

因为对晶圆进行加盖玻璃处理后，探针就无法接触到管脚垫，因此该方法仅能够对完成整体封装前的晶圆进行测试，即在晶圆加盖玻璃和划片前测试。这就导致其测试结果具有不确定性，通过测试的芯片在加盖玻璃后可能由于其他因素的影响成为不良品，降低晶圆测试的准确率和效率；

许多以芯片在完成电学测试之后还需进行光学测试，但是现有晶圆测试设备不能够同时完成电学测试和光学测试，需要在完成电学测试后将晶圆从承片台取下，更换仪器以完成光学测试，降低测试效率。

发明内容

本发明的目的是提供一种准确率高、效率高的晶圆测试方法及装置。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的晶圆测试方法，包括以下步骤：

步骤A、将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上；

步骤B、承片台固定装置将晶圆固定；

步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试；

步骤D、该待测芯片测试完成，对该晶圆中的下一芯片测试；

所述步骤C具体包括：

步骤C1、对晶圆进行电学测试；

步骤C2、对晶圆进行光学测试；

所述步骤C1和步骤C1同时或顺序进行。

本发明的晶圆测试装置，包括测试机承片台，所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针，所述承片台的下方设有光源模块。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明提供的晶圆测试方法及装置。由于将晶圆锡球面向上进行测试，并能够同时对晶圆进行电学测试和光学测试，准确率高、效率高。

附图说明

图1为现有技术中CSP封装晶圆的平面示意图；

图2为本发明实施例提供的晶圆测试方法的流程图；

图3为本发明晶圆测试装置的结构示意图。

图中：1、晶圆，2、承片台，3、光源，4、探针，5、锡球。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述。

本发明的晶圆测试方法，其较佳的具体实施方式包括以下步骤：

步骤A、将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上；

步骤B、承片台固定装置将晶圆固定；

步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试；

步骤D、该待测芯片测试完成，对该晶圆中的下一芯片测试；

所述步骤C具体包括：

步骤C1、对晶圆进行电学测试；

步骤C2、对晶圆进行光学测试；

所述步骤C1和步骤C1同时或顺序进行。

该测试方法在晶圆加盖玻璃和划片后进行。

所述步骤C1具体包括：

步骤C11、承片台带动晶圆向上移动，使待测芯片的锡球接触探针；

步骤C12、对该晶圆中待测芯片进行电学测试；

步骤C13、该待测芯片电学测试完成。

所述步骤C2具体包括：

步骤C21、光线从测试机承片台下方入射到晶圆待测芯片上；

步骤C22、对该晶圆中待测芯片进行光学测试；

步骤C23、该待测芯片光学测试完成。

本发明的晶圆测试装置，其较佳的具体实施方式是：

包括测试机承片台，所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针，所述承片台的下方设有光源模块。