[发明专利]晶圆测试方法及装置有效
申请号: | 201110189997.6 | 申请日: | 2011-07-07 |
公开(公告)号: | CN102222632A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 冯建中;唐冕 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 方法 装置 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤A、将晶圆锡球面向上放置在测试机承片台上;
步骤B、承片台固定装置将晶圆固定;
步骤C、对该晶圆上待测芯片进行测试;
步骤D、该待测芯片测试完成,对该晶圆中的下一芯片测试;
所述步骤C具体包括:
步骤C1、对晶圆进行电学测试;
步骤C2、对晶圆进行光学测试;
所述步骤C1和步骤C1同时或顺序进行。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于,该测试方法在晶圆加盖玻璃和划片后进行。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述步骤C1具体包括:
步骤C11、承片台带动晶圆向上移动,使待测芯片的锡球接触探针;
步骤C12、对该晶圆中待测芯片进行电学测试;
步骤C13、该待测芯片电学测试完成。
4.根据权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于,所述步骤C2具体包括:
步骤C21、光线从测试机承片台下方入射到晶圆待测芯片上;
步骤C22、对该晶圆中待测芯片进行光学测试;
步骤C23、该待测芯片光学测试完成。
5.一种晶圆测试装置,其特征在于,包括测试机承片台,所述承片台的上方设有测试机探针卡和探针,所述承片台的下方设有光源模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造