[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法。

背景技术

近年来，随着科学技术的进步，数字化电视开始走进日常生活中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Firm Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)以其体积小，功耗低，无辐射，分辨率高等优点成为了目前的主导产品。

TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其间抽真空后封灌液晶材料，这样，TFT-LCD显示屏形成几十万到上百万的像素阵列，每个像素通过TFT的控制来显示图形。

高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点，目前被广泛应用。

现有技术中一种AD-SDS模式的TFT-LCD的阵列基板包括：玻璃基板，以及在该玻璃基板上形成的栅线、数据线、TFT开关，像素电极，以及公共电极。其中，公共电极位于阵列基板的顶层。像素电极与公共电极形成的多维电场驱动液晶扭转，因此，需要公共电极在整个基板上提供一致的电压。而公共电极电压由基板外围施加，这样会导致基板内不同区域电压衰减不一致，因此，公共电极的方块电阻越小，阵列基板的性能越好。目前，通过增加公共电极的厚度来减少公共电极的方块电阻。

公共电极一般通过在玻璃基板上沉积透明导电薄膜后采用构图(MASK)工艺形成，其中，MASK工艺包括：掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。而透明导电薄膜包括：非晶氧化铟锡(ITO)或多晶氧化铟锡(ITO)。

在形成非晶ITO公共电极的工艺中，为增加公共电极的厚度，则需沉积较厚的非晶ITO薄膜。但是，当沉积的非晶ITO薄膜的厚度达到一定厚度，例如700埃，此时，阵列基板的玻璃基板边缘的非晶ITO转化为多晶ITO，这样，在后续的刻蚀过程中，由于多晶ITO的刻蚀速度要远远小于非晶ITO的刻蚀速度，因此，刻蚀工艺完成后，在玻璃基板边缘会有ITO残留，这样会造成像素不良，影响TFT-LCD的性能。

可见，现有AD-SDS模式的TFT-LCD的阵列基板中的非晶ITO公共电极还不能很厚，阵列基板的性能还不是很好。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法，用以提高AD-SDS模式的TFT-LCD的阵列基板的性能。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，包括：

在基板的第一面上形成栅线、数据线、薄膜晶体管TFT、像素电极以及第一公共电极；

在形成了第一公共电极的基板的第一面上涂覆负性光刻胶；

从与所述第一面相对的第二面曝光所述负性光刻胶并进行显影；

在显影后的基板的第一面上沉积导电透明薄膜；

剥离曝光后的负性光刻胶，在与所述栅线垂直相对的第一公共电极上以及与所述数据线垂直相对的第一公共电极上形成第二公共电极。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括：基板，以及在基板的第一面上形成的栅线、数据线、薄膜晶体管TFT、像素电极以及第一公共电极，还包括：在与所述栅线垂直相对的第一公共电极上以及与数据线垂直相对的第一公共电极上形成的第二公共电极。

本发明实施例中TFT-LCD阵列基板中不仅包括第一公共电极，而且还包括在与栅线垂直相对的第一公共电极上以及与数据线垂直相对的第一公共电极上形成的第二公共电极。这样，增加了阵列基板中与数据线垂直相对的公共电极的厚度，有效减少了公共电极的方块电阻，提高了阵列基板的性能，从而进一步提高了TFT-LCD的性能。

附图说明

图1为本发明实施例中制作TFT-LCD阵列基板的流程图；

图2(a)为本发明实施例中形成了第一公共电极后的基板的剖视示意图；

图2(b)为本发明实施例中涂覆了负性光刻胶的基板的剖视示意图；

图2(c)为本发明实施例中曝光显影后的基板的剖视示意图；

图2(d)为本发明实施例中沉积导电透明薄膜的基板的剖视示意图；