[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法有效
| 申请号： | 201110189576.3 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102629572A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 徐少颖;谢振宇;李田生;阎长江;姜晓辉;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 液晶显示器 阵列 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的第一面上形成栅线、数据线、薄膜晶体管TFT、像素电极以及第一公共电极；
在形成了第一公共电极的基板的第一面上涂覆负性光刻胶；
从与所述第一面相对的第二面曝光所述负性光刻胶并进行显影；
在显影后的基板的第一面上沉积导电透明薄膜；
剥离曝光后的负性光刻胶，在与所述栅线垂直相对的第一公共电极上以及与所述数据线垂直相对的第一公共电极上形成第二公共电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行显影之前还包括：
将对盒紫外Cell UV基板作为掩膜板，从所述基板的第一面曝光所述负性光刻胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离曝光后的负性光刻胶之后，还包括：
对基板进行退火处理。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二公共电极的厚度大于或等于所述第一公共电极的厚度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一公共电极的厚度与所述像素电极的厚度相同或相近。
6.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括：基板，以及在所述基板的第一面上形成的栅线、数据线、薄膜晶体管TFT、像素电极以及第一公共电极，其特征在于，还包括：在与所述栅线垂直相对的第一公共电极上以及与所述数据线垂直相对的第一公共电极上形成的第二公共电极。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极的厚度大于或等于所述第一公共电极的厚度。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极的厚度与所述像素电极的厚度相同或相近。
9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极的材质包括：非晶氧化铟锡或多晶氧化铟锡；所述第二公共电极的材质包括：非晶氧化铟锡或多晶氧化铟锡。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
