[发明专利]预处理蓝宝石衬底提高LED出光效率的方法

权利要求书

1.一种预处理蓝宝石衬底提高LED出光效率的方法，其特征在于，包括：

提供蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有定位边；

在所述蓝宝石衬底上形成掩膜层；

在所述蓝宝石衬底上光刻出图形，图形之间具有走道；所述图形为平行四边形，所述平行四边形的一组对边或一条对角线垂直于所述蓝宝石衬底的定位边；

在所述图形的走道上刻蚀出沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为SiO₂层，厚度为300nm至2000nm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiO₂层采用的等离子体增强化学气相沉积工艺，沉积温度为200℃至310℃。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiO₂层采用旋涂的方式将液态SiO₂涂布到所述蓝宝石衬底上，退火温度为500℃至750℃，退火氛围为空气，空气流量为1.5升/分钟至4升/分钟，退火时间为30分钟至60分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平行四边形图形的一组对边垂直于所述蓝宝石衬底的定位边。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述垂直边的走道的宽度要小于或等于相邻边的走道的宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平行四边形图形的一条对角线垂直于所述蓝宝石衬底的定位边。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述平行四边形图形的四条边的走道的宽度相同。

9.根据权利要求1、5、6、7或8所述的方法，其特征在于，所述图形为菱形，所述菱形的一组对角为30°至60°。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述图形的走道上刻蚀出沟槽采用的是湿法腐蚀工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀工艺包括：采用温度为200℃至350℃的浓H₂SO₄和浓H₃PO₄的混合液对所述走道进行湿法腐蚀，腐蚀时间为10分钟至60分钟。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述浓H₂SO₄和浓H₃PO₄的混合液的配比为3∶1或1∶1。

13.根据权利要求1、10、11或12所述的方法，其特征在于，所述沟槽为V型。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述V型沟槽的侧壁与所述蓝宝石衬底底面成夹角β，所述夹角β的角度范围为0°＜β＜90°。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述夹角β的角度范围为45°≤β≤80°。