[发明专利]记忆体阵列的擦除方法

权利要求书

1.一种记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括多个记忆胞串，每一该些记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞，该记忆体阵列的擦除方法包括以下步骤：

提供一第一电压至该记忆体阵列的一基底；

提供一第二电压至一选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电压至其余的字元线；以及

分别提供一第三电压与一第四电压至该选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以利用带对带热空穴注入法来擦除该选定记忆胞，其中该第三电压不等于该第四电压。

2.根据权利要求1所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法还包括：

导通连接至该选定记忆胞的该第一晶体管与该第二晶体管的其中之一，或是同时导通连接至该选定记忆胞的该第一晶体管与该第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法还包括：

导通连接至该选定记忆胞的该第一晶体管，以提供该第三电压至该选定记忆胞的第一源极/漏极区；以及

关闭连接至该选定记忆胞的该第二晶体管，以使连接至该选定记忆胞的第二源极/漏极区的该些记忆胞的通道自我升压至该第四电压。

4.根据权利要求1所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法还包括：

导通连接至该选定记忆胞的该第一晶体管，以提供该第三电压至该选定记忆胞的第一源极/漏极区；以及

导通连接至该选定记忆胞的该第二晶体管，以提供该第四电压至该选定记忆胞的第二源极/漏极区。

5.根据权利要求4所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中所述的第三电压为一接地电压。

6.根据权利要求1所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于还包括：分别提供一第五电压与一第六电压至连接该字元线的一非选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以禁止该非选定记忆胞被擦除。

7.根据权利要求6所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法还包括：

同时关闭连接至该非选定记忆胞所属的该记忆胞串的该第一晶体管与该第二晶体管，以使连接至该非选定记忆胞的第一源极/漏极区的该些记忆胞的通道自我升压至该第五电压，并使连接至该非选定记忆胞的第二源极/漏极区的该些记忆胞的通道自我升压至该第六电压。

8.根据权利要求6所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法更包括：

同时导通连接至该非选定记忆胞所属的该记忆胞串的该第一晶体管与该第二晶体管，以分别提供该第五电压及该第六电压至该非选定记忆胞的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。

9.根据权利要求8所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中每一该些记忆胞串还包括一第一晶体管与一第二晶体管，且该记忆体阵列的擦除方法还包括：

关闭连接至该非选定记忆胞所属的该记忆胞串的该第一晶体管，以使连接至该非选定记忆胞的第一源极/漏极区的该些记忆胞的通道自我升压至该第五电压；以及

导通连接至该非选定记忆胞所属的该记忆胞串的该第二晶体管，以提供该第六电压至该非选定记忆胞的第二源极/漏极区。

10.根据权利要求1所述的记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中所述的第二电压小于0。