[发明专利]包括沟槽内的特征件的电子器件

说明书

技术领域

本公开涉及电子器件以及形成电子器件的工艺，并且更特别地涉及包括在沟槽内的特征件(feature)的电子器件及其形成工艺。

背景技术

穿过晶片的通孔典型地被用来形成在堆叠结构的不同管芯之间的连接。此类通孔能够通过在晶片的其中一个主表面上形成电路来形成。然后通过背研磨或其它机械操作使晶片变薄，并且然后形成通孔通过晶片的全部或基本上全部的剩余厚度。每个通孔具有类似于但稍微小于由键合焊盘所占用的区域的宽度。由此，通孔的宽度为50微米或更大。通孔包括体硅、多晶硅、元素金属、金属合金、导电性金属氮化物或者它们的组合并且不包括分立的内部特征件。换言之，通孔是简单的微型丝线。晶片被切单以形成个体管芯，并且管芯然后能够被堆叠使得由于通孔而在叠层之内一个管芯的键合焊盘与另一个管芯的键合焊盘电连接。堆叠的管芯被贴附于封装衬底，并且封装衬底和堆叠的管芯的组合被组装到完成的集成电路之内。

图1包括在现有技术的电子器件中使用的结构12的顶视图的图示。结构12被用来以穿过晶片的通孔在诸如成像传感器和微型封装应用那样的应用中形成电连接。结构12通过蚀刻管芯衬底10以形成导电中心特征件14以及围绕中心特征件14的环形沟槽16的方式来形成。管芯衬底12和中心特征件14具有基本上相同的组成和晶体取向。中心特征件具有100微米的典型宽度，并且沟槽具有15微米的宽度和达数百微米的深度。热氧化被执行以沿着中心特征件14和环形沟槽16的暴露侧壁形成内衬氧化物18。环形沟槽16的剩余部分以介电材料19来填充。

附图说明

实施例通过实例的方式来示出并且不限制于附图。

图1包括在现有技术的电子器件中使用的结构的顶视图。(现有技术)。

图2包括根据在此所描述的概念在一个沟槽之内的特定特征件的顶视图。

图3包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图4包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图5包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图6包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图7包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图8包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图9包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图10包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图11包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图12包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图13包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一个特定特征件的顶视图。

图14包括根据在此所描述的概念在一个沟槽之内的一组特定特征件的顶视图。

图15包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图16包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图17包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图18包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图19包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图20包括根据在此所描述的概念在另一个沟槽之内的另一组特定特征件的顶视图。

图21包括含有图5的特征件的同轴馈通的顶视图。

图22包括含有图5的特征件的三轴馈通的顶视图。

图23包括根据在此所描述的概念在一组特定沟槽之内的一组特定特征件的顶视图。

图24包括在将层形成于衬底上之后工件的一部分的截面图的图示。

图25包括图24的工件在将沟槽蚀刻于衬底内之后的截面图的图示。

图26包括图27的工件在形成内衬绝缘层并以材料填充沟槽的剩余部分之后的截面图的图示。

图27包括图26的工件在形成并图形化绝缘层之后的截面图的图示。

图28包括图27的工件在形成互连之后的截面图的图示。