[发明专利]包括沟槽内的特征件的电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

限定第一沟槽的管芯衬底，所述第一沟槽具有基本上完全延伸穿过所述管芯衬底的深度；以及

布置于所述第一沟槽之内并且与所述管芯衬底间隔开的第一特征件，其中：

所述第一特征件沿着所述第一沟槽的所述深度的至少大部分延伸；以及

从顶视图看，所述第一特征件包括第一段以及与所述第一段基本上邻接的第二段，其中与具有所述第一段没有所述第二段的另外特征件相比，所述第二段显著地提高了所述第一特征件的机械稳定性。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中从顶视图看，所述第一特征件包括I形梁。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中从顶视图看，所述第一特征件具有Y字形状。

4.根据权利要求1所述的电子器件，还包括在所述第一沟槽之内的第一电子结构。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述第一电子结构包括无源零件。

6.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述第一电子结构包括通孔。

7.根据权利要求4所述的电子器件，还包括第二特征件和第二电子结构，其中：

所述管芯衬底还限定了与所述第一沟槽间隔开的第二沟槽；

所述第二特征件被布置于所述第二沟槽之内并且与所述第一特征件间隔开；

所述第二电子结构电浮动；以及

所述第一电子结构是电路的一部分。

8.一种电子器件，包括：

限定第一沟槽的管芯衬底，所述第一沟槽具有基本上完全延伸穿过所述管芯衬底的深度；以及

布置于所述第一沟槽之内并且与所述管芯衬底间隔开的第一特征件，其中：

所述第一特征件沿着所述第一沟槽的所述深度的至少大部分延伸；

在相同的高度，所述第一特征件和所述管芯衬底包括基本上相同的组成和晶体取向；以及

从顶视图看，所述第一特征件具有环形形状。

9.一种形成电子器件的工艺，包括：

将掩模层形成于管芯衬底的第一主表面之上；

蚀刻所述管芯衬底以限定第一特征件和环绕所述第一特征件的第一沟槽，其中：

所述第一沟槽具有至少大约40微米的深度；并且

从顶视图看，所述第一特征件能够包括第一段和与所述第一段基本上邻接的第二段，其中与具有所述第一段没有所述第二段的另外特征件相比，所述第二段显著地提高了所述第一特征件的机械稳定性；以及

执行操作，包括：

以材料基本上填充所述第一沟槽的全部；或者

热氧化所述特征件。

10.根据权利要求9所述的工艺，还包括去除所述管芯衬底沿着所述管芯衬底的第二主表面的部分暴露所述沟槽内的所述材料，其中所述第二主表面与所述第一主表面相反。