[发明专利]与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体

权利要求书

1.一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法，包括步骤：

提供腔体基底，在所述基底上形成导电层；

依次刻蚀所述导电层和所述基底，在所述基底上形成槽；

在所述导电层的表面和所述槽的侧壁与底部淀积具有导电性的保护层；

去除所述导电层的表面和所述槽的底部的所述保护层，在所述槽的侧壁形成具有导电性的侧壁保护层；

以所述导电层和所述侧壁保护层为掩膜，继续刻蚀所述槽，形成深槽；

采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽，在所述基底的内部形成腔体；

采用电镀法，利用所述侧壁保护层的导电性，在所述槽的侧壁保护层之间填满填充材料，将所述腔体与外界隔离。

2.根据权利要求1所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，在所述基底的内部形成腔体后，向所述腔体和所述槽中导入电镀液，利用电镀法在所述槽的具有导电性的侧壁保护层之间填满填充材料。

3.根据权利要求1或2所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述填充材料为单层或者多层结构。

4.根据权利要求1所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，在所述槽的侧壁保护层之间填满填充材料包括步骤：

向所述腔体和所述槽中导入电镀液；

利用电镀法在所述槽的具有导电性的侧壁保护层之间填充第一填充材料，所述第一填充材料在所述槽的侧壁之间留有缝隙；

将所述腔体内的电镀液去除；

利用包括化学气相淀积法或原子层沉积法在内的方法在所述缝隙中填充第二填充材料，所述第二填充材料完全填满所述槽。

5.根据权利要求2或4所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述方法在将所述腔体与外界隔离后还包括步骤：

采用化学机械抛光法对所述基底的表面作平坦化，直至露出所述导电层或者所述基底本身。

6.根据权利要求4所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述方法在将所述腔体与外界隔离后还包括步骤：

在所述基底的表面上旋涂加固材料。

7.根据权利要求6所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述加固材料为SOG材料，或者为包含有机物在内的其他类型钝化层。

8.根据权利要求2所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述填充材料为金属单质或合金。

9.根据权利要求4所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述第一填充材料为金属单质或合金。

10.根据权利要求4所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述第二填充材料为单层或者是多层材料。

11.根据权利要求4或10所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述第二填充材料为多晶硅。

12.根据权利要求1所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述槽的形状和深度根据实际需要是可调节的。

13.根据权利要求12所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述保护层是通过化学气相淀积法或者原子层淀积法形成的。

14.根据权利要求1所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述导电层的表面和所述槽的底部的保护层是通过回刻工艺去除的。

15.根据权利要求1所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性腐蚀工艺在所述基底的内部形成腔体。

16.根据权利要求15所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH或者TMAH。

17.根据权利要求1、15或16所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，所述腔体的形状是任意的。

18.根据权利要求4所述的制造隔离腔体的方法，其特征在于，去除所述腔体内的电镀液的方式包括清洗和/或干燥。

19.一种采用上述权利要求1至18中任一项所述的方法制造的隔离腔体。