[发明专利]梯度线圈组件

权利要求书

1.一种MRIS梯度线圈组件，包括：

第一线圈层，其包括第一导电线圈部分；

第二线圈层，其包括第二导电线圈部分；

第一屏蔽层，其被布置在所述第一线圈层和所述第二线圈层之间，并包括至少一个屏蔽材料片；以及

至少一个包括绝缘材料的绝缘层，其被设置在所述第一导电线圈部分和所述第一屏蔽层之间，其中

所述组件包括至少一个离散的接触工具，其将所述第一导电线圈部分电连接到所述屏蔽材料片，并且所述屏蔽材料片被所述至少一个绝缘材料层阻止与所述第一导电线圈部分电接触，除非经由所述至少一个离散的接触工具。

2.根据权利要求1所述的MRIS梯度线圈组件，其中所述至少一个屏蔽材料片是半导电的材料片。

3.根据权利要求1或2所述的MRIS梯度线圈组件，其中所述屏蔽材料片包括：浸渍石墨的片材料，或者导电材料网格。

4.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，其中所述屏蔽材料片被选择为使得其能在比典型梯度线圈驱动电压变化时期短的时期内达到均匀的电势，从而抑制在MRIS中感生具有有害波期的涡电流。

5.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，其中所述屏蔽材料片具有10毫欧每平方到10千欧每平方，优选地30毫欧每平方到1千欧每平方，的方块电阻。

6.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，包括在所述第一屏蔽层和所述第二导电线圈部分之间的又至少一个绝缘材料层。

7.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，包括第三线圈层，其包括第三导电线圈部分，所述第三线圈层被布置为使得所述第二线圈层被布置在所述第一线圈层和所述第三线圈层之间。

8.根据权利要求7所述的MRIS梯度线圈组件，其中在所述第二线圈层和所述第三线圈层之间设置有一个或多个相应的屏蔽层。

9.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，包括被布置在所述第一屏蔽层和所述第二线圈层之间的第二屏蔽层，所述第二屏蔽层包括至少一个屏蔽材料片，该屏蔽材料片经由至少一个相应的离散的接触工具电连接到所述第二导电线圈部分，并且该屏蔽材料片被至少一个相应的绝缘材料层阻止与所述第二导电线圈部分电接触，除非经由所述至少一个相应的离散的接触工具。

10.根据权利要求9所述的MRIS梯度线圈组件，其中在所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间设置有又至少一个绝缘层。

11.根据权利要求9或10所述的MRIS梯度线圈组件，当从属于权利要求7时，包括被布置在所述第三线圈层和所述第二线圈层之间的第三屏蔽层，所述第三屏蔽层包括至少一个屏蔽材料片，该屏蔽材料片经由至少一个相应的离散的接触工具电连接到所述第三导电线圈部分，并且该屏蔽材料片被至少一个相应的绝缘材料层阻止与所述第三导电线圈部分电接触，除非经由所述至少一个相应的离散的接触工具。

12.根据权利要求11所述的MRIS梯度线圈组件，包括被布置在所述第三屏蔽层和所述第二线圈层之间的第四屏蔽层，所述第四屏蔽层包括至少一个屏蔽材料片，该屏蔽材料片经由至少一个相应的离散的接触工具电连接到所述第二导电线圈部分，并且该屏蔽材料片被至少一个相应的绝缘材料层阻止与所述第二导电线圈部分电接触，除非经由所述至少一个相应的离散的接触工具。

13.根据权利要求12所述的MRIS梯度线圈组件，其中在所述第三屏蔽层和所述第四屏蔽层之间设置有又至少一个绝缘层。

14.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，其中所述线圈组件被布置为使得所述或每个线圈部分和相应的屏蔽材料片之间存在最多三个离散的电连接。

15.根据任一在前权利要求所述的MRIS梯度线圈组件，其中在至少一个屏蔽层和所述屏蔽层连接到的线圈层之间的所述或至少一个绝缘层包括B阶材料。

16.一种制造根据任一在前权利要求所述的梯度线圈组件的方法。

17.一种MRI仪器，其包括根据权利要求1到15之中任一权利要求所述的梯度线圈组件。