[发明专利]处理装置有效
| 申请号: | 201110184779.3 | 申请日: | 2011-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN102315147A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 冈部星儿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种处理装置,具有收容被处理体的收容室,其特征在于,
所述收容室包括:具有开口部的顶面部和自由拆装地将所述开口部闭塞的盖体,在所述顶面部设置有盖体载置区域,该盖体载置区域用于暂时载置从所述开口部取下的所述盖体。
2.根据权利要求1所述的处理装置,其特征在于,所述盖体载置区域与所述开口部相邻。
3.根据权利要求2所述的处理装置,其特征在于,所述开口部设置在所述顶面部的中央,所述开口部的宽度为所述顶面部的宽度的1/3以下。
4.根据权利要求3所述的处理装置,其特征在于,在所述盖体载置区域具有支承所述盖体的多个支承台。
5.根据权利要求4所述的处理装置,其特征在于,所述支承台的至少与所述盖体接触的接触面用树脂材料构成。
6.根据权利要求5所述的处理装置,其特征在于,
所述盖体,在其上表面设置有拆装自由地安装安全栅的栅安装部,
以如下方式配置所述栅安装部:在所述盖体上安装有所述安全栅的状态下将所述盖体载置于所述盖体载置区域时,使所述盖体上的安全栅沿着所述开口部的边缘。
7.一种处理装置,是具有多个收容被处理体的收容室的基板处理装置,其特征在于,
在多个所述收容室中包括下述结构,该结构具备:具有开口部的顶面部和将所述开口部闭塞的盖体,
所述收容室的至少一个设置有载置其他收容室的盖体的第一盖体载置区域。
8.根据权利要求7所述的处理装置,其特征在于,具备所述第一盖体载置区域的所述收容室,具有载置该收容室的盖体的第二盖体载置区域。
9.根据权利要求8所述的处理装置,其特征在于,具有所述第二盖体载置区域的所述收容室的开口部设置在顶面部的中央,所述第二盖体载置区域与所述开口部相邻设置。
10.根据权利要求9所述的处理装置,其特征在于,所述第一盖体载置区域和所述第二盖体载置区域以重叠的方式配置。
11.根据权利要求10所述的处理装置,其特征在于,所述第一盖体载置区域和所述第二盖体载置区域配置为:高于将所述开口部闭塞时所述盖体的上表面。
12.根据权利要求1~11中的任意一项所述的处理装置,其特征在于,
所述多个收容室包括:
处理室,其在真空环境中对被处理体实施处理;
加载互锁真空室,其在大气压环境与所述处理室之间输送所述被处理体时暂时收容所述被处理体,并将内部切换为大气压环境或真空环境;
输送室,其气密性地与所述加载互锁真空室和所述处理室连接,且在其内部具有在所述加载互锁真空室和所述处理室之间输送所述被处理体的输送装置。
13.根据权利要求12所述的处理装置,其特征在于,
在所述收容室的内部设置将所述被处理体载置于保持部进行输送的输送装置,所述保持部构成为可与所述开口部的宽度尺寸相匹配地自由分解。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





