[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜及其用途有效

专利信息
申请号: 201110184672.9 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102344646A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08L71/12;C08L61/06;C08K3/22;C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 半导体 背面 及其 用途
【说明书】:

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面和用于提高其强度。此外,本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法,和倒装芯片安装的半导体器件。

背景技术

近来,已日益需求薄型化和小型化的半导体器件及其封装。因此,作为半导体器件及其封装,已广泛利用其中半导体元件如半导体芯片借助于倒装芯片接合安装(倒装芯片连接)在基材上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中,半导体芯片以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中,可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见,专利文献1)。可以激光标识背面用膜以增加其产品识别能力(参见,专利文献2)。

[专利文献1]JP-A-2007-158026

[专利文献2]JP-A-2008-166451

随着半导体技术的发展,半导体器件性能得到日益改进。随着半导体器件处理速度的增加,由半导体器件产生的热量趋于增加。在半导体元件如半导体芯片的背面用背面膜覆盖的情况下,从半导体元件的背面侧释放的热延迟并且因此产生的热可能累积在半导体器件中以给予负荷至器件,从而由此缩短产品寿命。针对该背景,可以采取粗糙化背面用膜表面以增加其表面积由此促进热从背面膜释放的方法。然而,粗糙化背面膜表面可能产生另一问题,即膜的激光标识性可能恶化,以及其对半导体晶片等的粘合性也可能恶化。

发明内容

考虑到前述问题完成了本发明,其目的在于提供倒装芯片型半导体背面用膜,当设置于半导体元件的背面上时,可有效地将热从半导体元件释放至外部,同时保持其在其表面上的良好激光标识性及其对半导体晶片等的良好的粘合性,和提供包括倒装芯片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜。

本发明的另一目的在于,提供用于生产半导体器件的方法,所述半导体器件由于激光标识导致产品识别能力高并且可有效地释放由其中半导体元件产生的热从而由此延长产品寿命。

为了解决前述问题,本发明人进行广泛深入地研究。结果,发明人已发现,当将特定的导热性填料混入倒装芯片型半导体背面用膜中时,则可增强膜释放来自半导体元件的热的能力,同时原样保持其良好的激光标识性及其良好的对半导体晶片的粘合性,并且已完成本发明。

即,本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜,其要设置于要倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上,所述膜包括树脂和导热性填料,其中导热性填料的含量为膜的至少50体积,以及相对于膜的厚度,导热性填料的平均粒径为至多30%,并且相对于膜的厚度,导热性填料的最大粒径为至多80%。

本发明的倒装芯片型半导体背面用膜要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上,由此实现其保护半导体元件的功能。倒装芯片型半导体背面用膜包含树脂和导热性填料,其中导热性填料的含量为至少50体积%;并且因此,膜自身的导热性高和膜显示优异的热辐射能力,结果,即使当膜设置于半导体元件背面上时,也可有效地将由半导体元件产生的热释放至外部。半导体元件背面意指与其上形成电路的表面相对的表面。

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