[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜及其用途

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，

所述膜包括树脂和导热性填料，

其中所述导热性填料的含量为所述膜的至少50体积％，和

其中相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的平均粒径为至多30％，并且相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的最大粒径为至多80％。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述膜具有至少2W/mK的导热率。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述膜在与面向所述半导体元件背面的面相对的面上的表面粗糙度Ra为至多300nm。

4.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述导热性填料的含量为所述膜的50至80体积％，和

其中相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的平均粒径为10至30％，并且相对于所述膜的厚度，所述导热性填料的最大粒径为40至80％。

5.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述导热性填料包括多个具有不同平均粒径的导热性填料颗粒。

6.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带；和

根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜层压于所述切割带上，

其中所述切割带包括基材和层压于所述基材上的压敏粘合剂层，和

其中所述倒装芯片型半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上。

7.一种半导体器件的生产方法，其使用根据权利要求6所述的半导体背面用切割带集成膜，所述方法包括：

将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，

切割所述半导体晶片以形成半导体元件，

将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和

将所述半导体元件倒装芯片连接至被粘物上。

8.一种倒装芯片型半导体器件，其根据权利要求7所述的方法生产。