[发明专利]半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法。半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并用于提高其强度。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将半导体元件如半导体芯片安装(倒装芯片连接)至基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以其中半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在这类半导体器件等中，可能存在其中半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见专利文献1至3)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

然而，为了通过保护膜保护半导体芯片的背面，有必要增加用于将保护膜粘贴至切割步骤中得到的半导体芯片的背面的新步骤。结果，步骤数量增加并且生产成本等增加。因此，为了降低生产成本，本发明人开发了半导体背面用切割带集成膜，并对其提出了申请(在本申请提交时还未公开)。半导体背面用切割带集成膜具有包含具有基材和在基材上的压敏粘合剂层的切割带，和形成于切割带的压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜的结构。

在生产半导体器件时，半导体背面用切割带集成膜的使用如下。首先，将半导体晶片粘贴到半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜上。然后，切割半导体晶片以形成半导体元件。随后，将半导体元件从切割带的压敏粘合剂层剥离，并与倒装芯片型半导体背面用膜一起拾取，然后将半导体元件倒装芯片连接到被粘物如基板上。因此，得到倒装芯片型半导体器件。

对于半导体晶片切割，广泛采用的是所谓的完全切断法，其将切割至到达半导体背面用膜上的切割带的基材层深度作为切割刀切割深度。此前，考虑到压敏粘合剂层的厚度为约10μm并考虑到切割机的精度，更多采用的是通过在完全切断操作中切割至压敏粘合剂层上的基材以留出制造边缘(productionmargin)来避免切割步骤中的不足的方法。因此，随后的拾取过程能够将半导体芯片与半导体背面用膜一体化剥离，而无需任何切断半导体背面用膜的另外步骤或操作。

然而，切割至基材产生来自基材的切割粉尘，并且切割粉尘粘合至切割的半导体芯片的侧面，并可能在芯片周围形成所谓毛刺(burr)的沉积物。当具有该毛刺的半导体芯片安装在半导体器件内时，其可能引起与被粘物的互连不良(interconnectionfailure)和基板电路的污染(其可能导致半导体器件可靠性的降低)。

发明内容

考虑到上述问题进行了本发明，并且其目的是提供半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法，所述半导体背面用切割带集成膜能够显示良好的切割性能并能够防止将要通过切割半导体晶片生产的半导体芯片周围的毛刺的产生，从而使其可以生产具有改善的产品收率的高可靠性的半导体器件。

为了解决现存问题，本发明人进行了锐意研究，结果，发现通过采用以下构造，可以提供具有良好切割性能并能够防止半导体芯片周围毛刺产生的半导体背面用切割带集成膜，并完成了本发明。

即，本发明涉及半导体背面用切割带集成膜(下文可称作“集成膜”)，其包括：含有依次层压的基材和压敏粘合剂层的切割带，和设置于切割带的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合剂层具有20μm至40μm的厚度。

虽然在此之前通过在切割中的切割至基材已确保了制造边缘，但是集成膜包括具有20μm至40μm厚度的压敏粘合剂层，因而通过在切割中切割至压敏粘合剂层可以充分确保制造边缘。因此，可以防止通过切割至到达基材将要产生的切割粉尘。结果，该膜能够有助于通过防止半导体芯片周围毛刺的产生同时保持其良好切割性来生产具有高可靠性的半导体器件。当压敏粘合剂层的厚度小于20μm时，则压敏粘合剂层的制造边缘将不足，膜的切割可能到达基材从而不可避免地产生来自基材的切割粉尘，因此导致半导体芯片周围毛刺的产生。另一方面，当压敏粘合剂层的厚度大于40μm时，则压敏粘合剂层的柔性和粘性可能过高，因此其保持和固定半导体晶片的能力可能降低，从而可能使半导体芯片在切割过程中破坏或裂纹，并且一旦切割，半导体芯片可能粘连在一起。