[发明专利]半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括依次层压的基材和压敏粘合剂层的切割带，和在所述切割带的所述压敏粘合剂层上设置的半导体背面用膜，

其中所述压敏粘合剂层具有20μm至40μm的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中比率x/y为1至4，其中x为所述压敏粘合剂层的厚度，y为所述半导体背面用膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中比率z/y为1.5至25，其中y为所述半导体背面用膜的厚度，z为所述切割带的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体背面用切割带集成膜，其中比率z/y为1.5至25，其中y为所述半导体背面用膜的厚度，z为所述切割带的厚度。

5.一种生产半导体器件的方法，所述方法使用根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，所述方法包括：

将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上，

切割所述半导体晶片以形成半导体芯片，其中将切割深度控制为落入超出所述压敏粘合剂层面向半导体背面用膜一侧的面且没有到达所述压敏粘合剂层面向所述基材的另一侧的面的范围内，

将所述半导体芯片与所述半导体背面用膜一起从所述切割带的所述压敏粘合剂层剥离，和

将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物上。

6.根据权利要求5所述的生产半导体器件的方法，其中比率x/y为1至4，其中x为所述压敏粘合剂层的厚度，y为所述半导体背面用膜的厚度。

7.根据权利要求5所述的生产半导体器件的方法，其中比率z/y为1.5至25，其中y为所述半导体背面用膜的厚度，z为所述切割带的厚度。

8.根据权利要求6所述的生产半导体器件的方法，其中比率z/y为1.5至25，其中y为所述半导体背面用膜的厚度，z为所述切割带的厚度。

9.根据权利要求5所述的生产半导体器件的方法，其中将切割中的所述切割深度控制为落入从所述压敏粘合剂层面向所述半导体背面用膜侧的面起所述压敏粘合剂层厚度的10％至70％的范围内。

10.根据权利要求6所述的生产半导体器件的方法，其中将切割中的所述切割深度控制为落入从所述压敏粘合剂层面向所述半导体背面用膜侧的面起所述压敏粘合剂层厚度的10％至70％的范围内。

11.根据权利要求7所述的生产半导体器件的方法，其中将切割中的所述切割深度控制为落入从所述压敏粘合剂层面向所述半导体背面用膜侧的面起所述压敏粘合剂层厚度的10％至70％的范围内。

12.根据权利要求8所述的生产半导体器件的方法，其中将切割中的所述切割深度控制为落入从所述压敏粘合剂层面向所述半导体背面用膜侧的面起所述压敏粘合剂层厚度的10％至70％的范围内。