[发明专利]制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底无效
| 申请号： | 201110183212.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102299093A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 魏星;仰庶;曹共柏;张峰;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 带有 绝缘 半导体 衬底 方法 以及 | ||
1.一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一衬底与第二衬底；
在第一衬底表面外延形成器件层；
在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；
以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；
对键合后的衬底实施第一退火步骤；
去除第一衬底，形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底；
对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤，所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。
2.根据权利要求1所述的制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，在键合前进一步包括对外延形成的器件层进行抛光处理的步骤。
3.根据权利要求1所述的制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，所述第一退火步骤的温度范围是100-900℃。
4.根据权利要求1所述的制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，所述第二退火步骤的温度范围是900-1400℃。
5.根据权利要求1所述的制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，器件层的厚度大于绝缘埋层表面的顶层半导体层的目标厚度。
6.根据权利要求5所述的制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，去除第一衬底后，进一步包括一减薄器件层至目标厚度的步骤。
7.一种带有绝缘埋层的半导体衬底，包括器件层、绝缘层和支撑衬底，其特征在于，所述器件层是通过外延工艺形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
