[发明专利]有机电致发光显示器制作方法和有机电致发光显示器有效
| 申请号: | 201110181471.3 | 申请日: | 2011-06-30 | 
| 公开(公告)号: | CN102222684A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 | 
| 发明(设计)人: | 柯贤军;张雪峰;苏君海;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 | 
| 地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示器 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器制作工艺技术领域,更具体的说是涉及一种有机电致发光显示器制作方法和有机电致发光显示器。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)是一种新兴的平板显示器,由于其能够主动发光、对比度高、响应速度快、轻薄等优点,应用越来越广泛。其基本结构包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间插入的有机功能层,包括电荷注入层、电荷传输层以及发光层。有机电致发光显示器在工作时,通过在电极之间施加适当的电压,显示器即可发光。
OLED的阳极材料一般采用透明的导电薄膜氧化铟锡ITO,阴极一般采用低功函数的金属,其例如铝、银、镁或者他们的合金等。现有的OLED的制作方法中,通常是在导电基板上溅射ITO并光刻出ITO图案,并在光刻上ITO图案的基板的显示区蒸镀有机材料和阴极金属,但是由于OLED是一种电流型器件,而ITO的电阻较大,导致外围走线上的电压比较大,使得功耗较高,影响了OLED的发光亮度。
因此,目前需要本领域技术人员迫切解决的技术问题就是如何降低外围走线电压,以降低功耗,提高OLED的发光亮度。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种有机电致发光显示器的制作方法和有机电致发光显示器,用以解决外围走线电压较高、功耗较大,从而影响有机电致发光显示器的发光亮度的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种有机电致发光显示器制作方法,包括:
在基板显示区布线区域和外围布线区域上利用光刻工艺获得第一电极图案;
依次制作绝缘层和阴极隔离柱,覆盖所述不包括第一电极图案的显示区布线区域和外围布线区域;
在制作上阴极隔离柱的基板的显示区布线区域逐层蒸镀有机功能材料;
在外围布线区域和蒸镀上有机功能材料的基板的显示区布线区域蒸镀阴极金属;
利用封装胶将后盖贴合到蒸镀有阴极金属后的基板上。
优选地,所述利用光刻工艺获得第一电极图案之前还包括:
在基板显示区布线区域和外围布线区域利用光刻工艺获得辅助电极图案。
优选地,利用封装胶将玻璃后盖贴合到蒸镀阴极金属后的基板上具体为:
在所述后盖上点涂封装胶,将后盖贴合在所述基板上,所述封装胶覆盖所述外围布线区域的阴极金属。
优选地,所述玻璃后盖上贴有干燥剂。
优选地,所述第一电极图案的走线线宽为150微米~200微米,走线间距10微米~20微米。
一种有机电致发光显示器,包括基板;
光刻在所述基板显示区布线区域和外围布线区域上的第一电极;
位于基板显示区布线区域和外围布线区域上的绝缘层,所述绝缘层位于第一电极走线之间;
位于所述绝缘层上的阴极隔离柱;
蒸镀在所述显示区布线区域和外围布线区域上的阴极金属;
蒸镀在所述显示区布线区域中的且位于第一电极和阴极金属之间的有机功能层;
贴合在所述基板上的后盖。
优选地,所述第一电极材料为氧化铟锡ITO。
优选地,所述第一电极图案的走线线宽为150微米~200微米,走线间距10微米~20微米。
优选地,所述基板为玻璃基板。
一种有机电致发光显示器,包括基板;
光刻在所述基板显示区布线区域和外围布线区域上的辅助电极和第一电极;
位于基板显示区布线区域和外围布线区域上的绝缘层,所述绝缘层位于第一电极走线之间;
位于所述绝缘层上的阴极隔离柱;
蒸镀在所述显示区布线区域和外围布线区域上的阴极金属;
蒸镀在所述显示区布线区域中且位于所述第一电极和阴极金属之间的有机功能层;
贴合在所述基板上的后盖。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明提供了一种有机电致发光显示器制作方法和有机电致发光显示器,在显示器基板上首先光刻出第一电极图案,并依次制作绝缘层和隔离柱,然后在显示区布线区域蒸镀有机功能层,在显示区布线区域和外围布线区域蒸镀阴极金属,贴合后盖,封装器件。由于阴极金属还被蒸镀在外围布线区域,阴极金属沉积在外围走线上,可降低外围走线电阻,因而即可降低外围走线电压,减少功耗,从而提高有机电致发光显示器的发光亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





