[发明专利]高纯锗多晶制备工艺及专用设备

权利要求书

1.高纯锗多晶制备工艺，包括原料锗锭及区熔设备的清洗以及区熔提纯两个部分，其特征在于，

所述原料锗锭清洗依次包括超声波清洗器的超净水清洗、超净工作台的化学清洗以及氮气吹干步骤；

所述区熔设备清洗依次包括超声波清洗器的超净水清洗、超净工作台的化学清洗、氮气吹干以及区熔设备表面涂层步骤；

所述区熔提纯包括将原料锗锭装料至区熔设备以及区熔炉提纯的步骤。

2.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述超净水纯度为18兆电阻率。

3.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述化学清洗步骤为依次分别用硝酸、氢氟酸溶液和盐酸、双氧水溶液清洗，用超净水冲洗，然后用甲醇淋洗脱水，所述硝酸、氢氟酸溶液，盐酸、双氧水溶液以及甲醇纯度为MOS级。

4.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述氮气吹干步骤所用氮气纯度大于5N。

5.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述区熔设备为石英舟、石英管。

6.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述区熔设备表面涂层步骤为在石英舟凹槽内表面涂硅防护层。

7.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述区熔炉提纯过程中通入6N纯度的氢气，气流量为0.5-1.5L/min。

8.根据权利要求1所述的高纯锗多晶制备工艺，其特征在于，所述区熔炉提纯步骤重复20～30次。

9.一种高纯锗多晶制备专用设备，包括底座(9)、小车轨道(10)、小车(11)、石英管(2)及石英管支架(6)，原料锗锭(12)放置于石英管(2)内，石英管(2)管口用密封圈(7)密封，并在石英管(2)两端分别设有氢气进口(1)及氢气出口(8)，其特征在于，所述小车(11)上固定有高频加热线圈(4)，所述高频加热线圈(4)为宽度1～3cm的双层线圈，并环绕于所述石英管(2)外部；所述原料锗锭(12)放置于石英舟(3)凹槽内，石英舟(3)放置于所述石英管(2)内。

10.根据权利要求9所述的高纯锗多晶制备专用设备，其特征在于，所述石英舟凹槽(31)内表面涂有硅防护层。