[发明专利]一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法无效
| 申请号： | 201110178375.3 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102854429A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 上海华碧检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 上海市杨浦区国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 失效 分析 定位 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
A、利用化学腐蚀剥层技术对覆盖在功率器件表面的金属铝层进行化学腐蚀，将铝层完全腐蚀去除，同时完整保留金属铝下层的阻挡层；
B、利用微光显微镜和光束诱导电阻变化技术对功率器件进行正面定位，模拟失效情况下的电性条件，找出可能的失效点；
C、使用点针的方法进行加电，模拟电性条件，找出可能的失效点；
D、利用电子封装组装失效分析工具对步骤B和步骤C中的定位结果进行电子封装组装失效分析的物理验证，找出最终的物理失效点。
2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，其特征在于：所述步骤A中化学腐蚀所使用的化学药液是热磷酸。
3.根据权利要求2所述的一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，其特征在于：所述步骤A中使用的热磷酸的温度为200～255℃。
4.根据权利要求3所述的一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，其特征在于：所述步骤A中阻挡层与所述热磷酸的反应速率要比金属铝层与所述化学药液反应的速率慢一个数量级以上。
5.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件失效分析的失效点定位方法，其特征在于：所述步骤C中使用的点针为软针。
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