[发明专利]一种掺铈氯溴化镧闪烁晶体的制备方法

权利要求书

1.一种掺铈氯溴化镧固溶体晶体的制备方法，该晶体的化学组成为Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y，其中0＜x＜1，0＜y＜3，该制备方法的特征在于起始原料采用极易获得的高纯水合物LaCl₃·₇H₂O、LaBr₃·₇H₂O、CeCl₃·₇H₂O和CeBr₃·₇H₂O，将上述4种原料中的至少2种进行混合并溶解在水溶液中，和氯化亚砜SOCl₂反应后生成组分均匀的无水Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y多晶原料，然后用这种组分均匀的无水Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y多晶做原料生长Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y单晶。

2.根据权利要求1所述的一种掺铈氯溴化镧Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y固溶体单晶的制备方法，其特征在于：其原料是采用由结晶水合物和氯化亚砜SOCl₂反应后所生成的组分均匀的无水Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y多晶原料。

3.根据权利要求1所述的一种掺铈氯溴化镧Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y固溶体单晶的制备方法，其特征在于所用的晶体生长方法为坩埚下降法，具体工艺为：使用如权利要求2所述的组分均匀的无水Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y多晶为原料，将Ce_xLa_1-xCl_yBr_3-y无水多晶原料放入石英坩埚中，抽真空封装，真空度达10^-1Pa，然后再将装有原料的石英坩埚放入下降晶体炉中用坩埚下降法进行生长，下降速度为～1mm/h，温度梯度在20～40℃/cm，炉温的降温速度为～20℃/h。