[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置。

背景技术

作为对形成有在平板显示器(FPD；Flat Panel Display)中被使用的玻璃基板、半导体器件的半导体基板(半导体晶圆)等被处理体进行蚀刻处理、灰化(ashing)处理、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积法)等成膜处理的基板处理装置，公知有在共用的真空输送室连接多个处理室的多室(multi chamber)方式的基板处理装置。

该处理室由在内部收纳有基板并且上方侧开口的容器主体、以及气密地堵住该容器主体的开口部的盖体构成，在进行处理室的内部或设置于盖体的气体喷头的维护时等，盖体从容器主体被取下。

每当相对于容器主体开闭(装卸)盖体时，如在专利文献1中所记载的那样，公知有如下技术：在每个处理室设置使盖体从容器主体上升并向该容器主体的侧方侧滑动，使盖体在该侧方向侧反转的开闭机构。

然而，由于为了在每个处理室设置开闭机构，除了开闭机构之外，还必须在每个处理室中确保使盖体滑动的空间，因此装置的占地面积(设置面积)变大。特别是，由于FPD基板的大小是数米见方程度，因此即使是用于使处理室的盖体滑动的空间也必须要有例如分别为3.0m×3.5m左右的宽阔区域。另外，在该装置中，由于需要按照处理室的个数来设置开闭机构，故会引起成本提高。

专利文献1：日本特开2007-67218号公报(参照图1、图19)

发明内容

本发明是鉴于上述的事情而形成的，其目的在于提供一种在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置中，能够抑制装卸处理室的盖体的装置的大型化且抑制占地面积增大的技术。

本发明的基板处理装置，其将预备真空室、以及用于对基板进行处理的多个处理室连接于在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围，所述多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体，

该基板处理装置的特征在于，具备：

旋转台，其在形成于所述真空输送室之上的支承面上，以所述真空输送室的中心部为旋转中心绕铅直轴可自由旋转地被设置；

回旋臂，其设置于该旋转台；以及

盖体保持机构，其设置于该回旋臂的前端部，且构成为为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体进行升降，并且以保持盖体的状态通过所述处理室的上方。

作为所述基板处理装置的具体的方式，也可以是以下的结构。

构成为具备：

齿条，其为了使所述旋转台旋转而设置于所述支承面以及所述旋转台的一方，且沿着旋转台的周向设置；

小齿轮，其设置于所述支承面以及所述旋转台的另一方，且在与所述齿条啮合的同时进行旋转；以及

驱动部，其旋转驱动所述小齿轮。

构成为：所述预备真空室构成为在容器主体之上设置盖体，该盖体通过所述盖体保持机构相对于该容器主体进行装卸。

构成为：在所述盖体的上表面，设置有前端部从该上表面朝上方侧延伸、并且沿横向弯曲而形成卡止部的被保持部，

在所述盖体保持机构设置有保持部，该保持部一边通过所述回旋臂的旋转沿水平方向移动一边进入到所述卡止部的下方侧，之后上升，经由所述卡止部举起所述盖体。

构成为：所述真空输送室的俯视形状形成为多边形，

在所述真空输送室的侧面中的一个侧面的外侧设置有用于维护盖体的维护区域，在其余的侧面分别与所述预备真空室和处理室连接。

构成为：在所述维护区域，设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。

构成为：所述真空输送室具有六个侧面，在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。

根据本发明，在沿着真空输送室的周围配置的多个处理室中，使用于保持盖体来进行装卸(开闭)的盖体保持机构共同化。并且，构成为在从真空输送室上的旋转台延伸的回旋臂的前端侧设置盖体保持机构，从处理室取下的盖体能够在比处理室的排列靠上方侧通过。因此，由于不需要在每个处理室确保载置盖体的空间，故能够抑制装置的大型化，抑制设置面积(占地面积)的增大。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的外观结构的立体图。

图2是所述基板处理装置的俯视图。

图3是表示所述基板处理装置的处理室的一例的纵剖面图。

图4是表示所述处理室的立体图。