[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110173116.1 申请日: 2011-06-24
公开(公告)号: CN102842667A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 胡必强;许时渊 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L25/13;H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片,其特征在于:所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板,所述电极位于第一基板与第二基板之间,所述第一基板和第二基板均由透明材料制成,所述基板的其中一外表面为出光面,一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上,该发光二极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出,另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述电极至少为两个并相互间隔设置,所述电极的末端分别凸伸出于该基板的相对两侧面。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一基板靠近第二基板的一端向外延伸形成凸出部,所述第二基板靠近第一基板的一端向外延伸形成有延伸部,该延伸部与凸出部相对应,所述电极夹设于该凸出部和延伸部之间并向外延伸,且电极的末端凸伸出该凸出部和延伸部。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管芯片的数量为多个,该第二基板上形成若干通孔,所述通孔分别收容一对应的发光二极管芯片在内,每一通孔内形成用于封装所述发光二极管芯片的封装层。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管芯片的数量为多个,该第二基板上形成一通孔,该通孔收容所述发光二极管芯片在内,且通孔内形成用于封装所述发光二极管芯片的封装层。

6.如权利要求4或5所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装层的外表面上形成有荧光层。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该电极采用不透明的导电材料制成,该电极的宽度小于发光二极管芯片的宽度。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该电极采用透明的导电材料制成。

9.一种发光二极管封装结构制造方法,包括以下步骤:

提供两透明的载板,每一载板于靠近另一载板的一端向外延伸形成凸出部;

于其中一个载板的凸出部的表面上形成电极;

将两载板相互叠置而形成基板,并使得电极夹设于两载板的凸出部之间,电极的末端凸伸出凸出部;

于另一载板上形成通孔;

将发光二极管芯片固定于通孔内并与电极电性连接;

该基板的其中一外表面为出光面,并于该基板除出光面之外的其它外表面上形成反射层。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构制造方法,其特征在于:于该通孔内形成封装层。

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