[发明专利]半导体功率装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率装置的制作方法，其特征在于包括：

提供一基底，其上包括有至少一半导体层及一衬垫层；

于所述的衬垫层及所述的半导体层内蚀刻出至少一沟渠；

于所述的沟渠内以及所述的衬垫层上形成一掺质来源层；

进行一热驱入工艺，将所述掺质来源层的掺质扩散到所述的半导体层；

进行一快速高温处理，修补所述掺质来源层内以及掺质来源层与半导体层接面间的缺陷；以及

进行一抛光工艺，去除所述衬垫层上的所述掺质来源层。

2.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于在进行所述的抛光工艺后，还包括有：

去除所述的衬垫层，用来暴露出所述的半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的抛光工艺是化学机械抛光工艺。

4.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的快速高温处理的光源是正面光源，并且所述的快速高温处理的温度在1200℃到1800℃间。

5.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的基底及所述的半导体层具有一第一导电型。

6.根据权利要求5所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的第一导电型是N型。

7.根据权利要求6所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的掺质来源层具有一第二导电型。

8.根据权利要求7所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的第二导电型是P型。

9.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的掺质来源层包括有外延硅、多晶硅或非晶硅。

10.根据权利要求1所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的掺质包括有磷。

11.根据权利要求第1项所述的半导体功率装置的制作方法，其特征在于所述的衬垫层包括有氮化硅层或硅氧层。