[发明专利]配线基板

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请是基于2010年6月24日提交的在先日本专利申请No.2010-143862，并且要求该专利申请的优先权的权益，该专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文讨论的实施例涉及具有叠层结构的配线基板，该叠层结构包括多个配线层和绝缘层。

背景技术

图1是根据现有技术的例子的配线基板100的横截面图。参照图1，配线基板100包括第一配线层110、第一绝缘层120、第二配线层130、第二绝缘层140、第三配线层150、第三绝缘层160、第四配线层170和第四绝缘层180。

例如，第一配线层110、第二配线层130、第三配线层150和第四配线层170中的每一个由铜(Cu)形成。例如，第一绝缘层120、第二绝缘层140、第三绝缘层160和第四绝缘层180中的每一个由环氧类绝缘树脂形成。

第一配线层110和第二配线层130经由第一通孔120x电连接。第二配线层130和第三配线层150经由第二通孔140x电连接。第三配线层150和第四配线层170经由第三通孔160x电连接。

第一配线层110的侧表面和第一配线层110的上表面(与第二配线层的贯通线(via wiring)连接的第一配线层110的第一表面)被第一绝缘层120覆盖。第一配线层110的底表面(位于与第一表面相对的位置的第一配线层110的第二表面)的部分在第一绝缘层120处露出。第一配线层110的底表面的露出部分充当用于将配线基板100与半导体芯片等(未示出)电连接的电极焊盘。第四配线层170的部分在形成于第四绝缘层180中的开口部180x处露出。第四配线层170的露出部分充当用于将配线基板100电连接到诸如母板的安装基板(未示出)的电极焊盘。配线层110的底表面的露出部分之间的节距比第四绝缘层170的露出部分之间的节距窄。

例如，第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160由具有非感光性的绝缘树脂形成。第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160包含例如含有小于30体积％的氧化硅(SiO₂)的填料。第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160的热膨胀系数例如为约50ppm/℃。

第四绝缘层180由例如具有感光性的绝缘树脂形成。第四绝缘层180还包含填料。然而，因为在具有感光性的绝缘树脂中包含大量填料的情况中不能执行曝光，所以对可以包含在第四绝缘树脂180中的填料的量有限制(上限)。因此，第四绝缘层180的热膨胀系数比第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160的热膨胀系数大。例如，第四绝缘层180的热膨胀系数为约65ppm/℃。

因此，只有现有技术的配线基板的最上绝缘层(图1的第四绝缘层180)由具有感光性的绝缘树脂形成。通常，除了最上绝缘层以外的现有技术的配线基板的绝缘层(例如图1的第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160)由这样的绝缘树脂形成，该绝缘树脂具有非感光性，并且包含含有小于30体积％的氧化硅(SiO₂)的填料。

如图1所示，在下述情况中配线基板100的向着第一配线层110的一侧(即，配线基板100的包含与半导体芯片等(未示出)连接的电极焊盘的一侧)倾向于翘曲(弯曲)成凹形，所述情况为配线基板100的结构包括由具有感光性的绝缘树脂形成的最上绝缘层(即，第四绝缘层180)和由具有非感光性且包含含有小于30体积％的氧化硅(SiO₂)的填料的绝缘树脂形成的除最上层以外的其它绝缘层(即，第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160)。也就是说，配线基板100倾向于向着配线基板100的形成有电极焊盘的一侧(配线基板100的“半导体芯片安装侧”)翘曲。此外，具有这种结构的配线基板100可以具有超过600μm的翘曲度T1。

即使在下述结构的情况中翘曲的倾向性和翘曲量也基本上与图1中所示的配线基板100的结构的翘曲的倾向性和翘曲量相同，在所述结构中，最上绝缘层(即，第四绝缘层180)通过具有非感光性的绝缘树脂形成，并且，所有的绝缘层(即，第一绝缘层120、第二绝缘层140、第三绝缘层160和第四绝缘层180)通过具有非感光性且包含含有小于30体积％的氧化硅(SiO₂)的填料的绝缘树脂形成。

发明内容