[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多个层叠图案，所述多个层叠图案包括形成在衬底之上并顺序地层叠的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；

沟槽，所述沟槽被形成在所述层叠图案之间的所述衬底中；

隔离层，所述隔离层将所述沟槽以及所述层叠图案之间的间隔间隙填充；以及

控制栅，所述控制栅被形成在所述电介质层之上。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

插入在所述电介质层与所述控制栅之间的覆盖层。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述覆盖层包括导电层。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述层叠图案的所述电介质层被所述隔离层分隔开。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述电介质层包括具有高介电率的绝缘层。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述浮栅的表面与所述隔离层的表面对齐，所述电介质层被设置在所述浮栅与所述隔离层的对齐表面之上。

7.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成顺序地层叠了隧道绝缘层、浮栅、电介质层和覆盖层的多个层叠图案；

通过刻蚀所述层叠图案之间的所述衬底来形成沟槽；

形成将所述沟槽以及层叠图案之间的间隔间隙填充的隔离层；以及

在所述层叠图案之上形成控制栅。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成层叠图案的步骤包括以下步骤：

通过在所述衬底之上顺序地层叠隧道绝缘层、浮栅导电层、电介质层和覆盖层来形成叠层；

在所述叠层之上形成硬掩模图案；以及

使用所述硬掩模图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述叠层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在形成沟槽的步骤中，

在形成所述层叠图案之后，通过使用所述硬掩模图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述衬底。

10.如权利要求7所述的方法，其中，形成隔离层的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上形成所述绝缘层；以及

执行平坦化工艺，直到暴露出所述覆盖层为止。

11.如权利要求10所述的方法，其中，在执行平坦化工艺的步骤中，

单独执行刻蚀工艺或化学机械抛光工艺，或者执行刻蚀工艺和化学机械抛光工艺的组合。

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述覆盖层为绝缘层或导电层。

13.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述控制栅之前，去除所述覆盖层。

14.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的有源区之上形成浮栅；

通过将所述浮栅之间以及所述衬底的有源区之间的间隔的间隙填充来形成隔离层，其中所述浮栅的表面与所述隔离层的表面对齐；以及

在对齐了的所述表面之上形成控制栅。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成浮栅的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上顺序地形成隧道绝缘层、浮栅导电层、电介质层和硬掩模图案；以及

通过使用所述硬掩模图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述电介质层、所述浮栅导电层、所述隧道绝缘层和所述衬底，以在所述衬底中形成所述浮栅和沟槽。

16.如权利要求14所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述控制栅之前，在对齐了的所述表面之上形成电介质层。