[发明专利]液晶显示元件

说明书

相关申请的交叉参考

本申请基于并主张2010年6月21日提交的日本专利申请2010-140079的在先专利申请优先权，这里通过参考引入其全部内容。

技术领域

本发明涉及配置成辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的液晶显示元件。

背景技术

近年来，开发了一种使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型液晶显示元件。在有源矩阵型液晶显示元件中，为了将写入到像素电极中的显示信号电压保持到下一次的写入定时而形成有辅助电容。而且，该辅助电容由被配置成在其与像素电极之间夹设有绝缘层的辅助电容电极形成。

不过，在对薄膜晶体管应用了反交错(inversely-staggered)构造(底栅(bottom gate)构造)的部件的结构中，为了防止因从液晶层侧朝向该薄膜晶体管入射来的光而产生的光泄漏，公知兼用辅助电容电极来作为针对该光的遮光膜(例如日本特开2004-341185号公报-图5)。即，公知有一种按照与薄膜晶体管重叠的方式，在源/漏电极层与像素电极层之间形成由铬、钼等遮光性的金属构成的辅助电容电极的方法。

但是，由于辅助电容电极通过溅射法等被形成为在平坦形成的绝缘层上该辅助电容电极的下表面与绝缘层接触，所以导致辅助电容电极的下表面形成为镜面。

因此，从形成有薄膜晶体管的基板侧朝向液晶层的光中、在该薄膜晶体管的附近通过且朝向辅助电容电极的光，以维持高的光量的状态被辅助电容电极反射，即便是反交错构造，该反射光也会入射到薄膜晶体管的半导体层中，存在着在源电极与漏电极之间发生光泄漏电流的问题。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于，提供一种即便是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况，也能够抑制光泄漏电流的产生的液晶显示元件。

本发明的一个方式涉及的液晶显示元件具备：薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

本发明的另一个方式涉及的液晶显示元件具备：液晶层，配置在共用电极与像素电极之间；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与上述像素电极连接；以及辅助电容电极，被设定为与上述共用电极相等的电位，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沿着沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

本发明的又一个方式涉及的液晶显示元件具备：扫描线，被配置成在第1方向上延伸；薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，并且与上述扫描线连接。

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、与上述第1方向正交的第2方向上的长度，比上述栅电极的上述第2方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述第2方向上的长度长。

根据本发明，即使是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况，也能够抑制光泄漏电流的产生。

本发明的优点将在下面的描述中阐述，部分优点将通过该描述而显现，或通过实践本发明而获悉。本发明的优点可通过下面具体指出的手段和组合来实现和获得。

附图说明

附图是说明书的一部分，它们示出了本发明当前优选的实施例，并且与上面给出的概要说明和下面给出的优选实施例的详细说明一起阐明本发明的原理。

图1A是液晶显示元件的概略俯视图。

图1B是液晶显示元件的概略剖视图。