[发明专利]液晶显示元件

权利要求书

1.一种液晶显示元件，其特征在于，具备：

薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及

辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠；

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

2.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述辅助电容电极配置在比上述薄膜晶体管更接近液晶层一侧。

3.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述薄膜晶体管是反交错型的薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述栅电极、上述防蚀刻层以及上述辅助电容电极配置成，在与上述薄膜晶体管对应的区域中，相互的边缘间距离在沿着上述沟道长度方向的方向对称。

5.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述辅助电容电极是配置在作为上述源电极或者上述漏电极而成膜的导电层与作为上述像素电极而成膜的导电层之间的层。

6.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述栅电极以及上述辅助电容电极由遮光性的金属构成，

上述防蚀刻层由透光性的材料构成。

7.一种液晶显示元件，其特征在于，具备：

液晶层，配置在共用电极与像素电极之间；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与上述像素电极连接；以及

辅助电容电极，被设定为与上述共用电极相等的电位，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠；

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

8.根据权利要求7所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述辅助电容电极是配置在作为为上述源电极或者上述漏电极而成膜的导电层与作为上述像素电极而成膜的导电层之间的层。

9.根据权利要求8所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述像素电极是被配置为比上述共用电极更接近上述辅助电容电极一侧的层。

10.根据权利要求7所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述薄膜晶体管是反交错型的薄膜晶体管。

11.根据权利要求8所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述栅电极、上述防蚀刻层以及上述辅助电容电极配置成，在与上述薄膜晶体管对应的区域中，相互的边缘间距离在沿着上述沟道长度方向的方向上对称。

12.根据权利要求8所述的液晶显示元件，其特征在于，

上述栅电极以及上述辅助电容电极由遮光性的金属构成，

上述防蚀刻层由透光性的材料构成。

13.一种液晶显示元件，其特征在于，具备：

扫描线，配置成在第1方向上延伸；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及

辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠；

上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，并且与上述扫描线连接，

上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、与上述第1方向正交的第2方向上的长度，比上述栅电极的上述第2方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述第2方向上的长度长。