[发明专利]嵌入式晶圆级接合方法有效
| 申请号: | 201110166151.0 | 申请日: | 2011-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN102347251A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
| 发明(设计)人: | 余振华;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 嵌入式 晶圆级 接合 方法 | ||
1.一种方法,包括:
提供载体,在所述载体上设置有粘结层;
提供管芯,所述管芯包括:衬底;多个接合焊盘,位于所述衬底上方;以及介电层,位于所述多个接合焊盘上方;
将所述管芯置于所述粘结层上;
形成模塑料以覆盖所述管芯,其中,所述模塑料包围所述管芯;
移除所述模塑料的所述管芯正上方的部分,以暴露所述介电层;以及
在所述介电层上面形成再分布线,所述再分布线与所述多个接合焊盘中的至少一个电连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述管芯置于所述粘结层上的步骤之前,所述管芯进一步包括:金属支柱,所述金属支柱形成在所述介电层中,并且与所述多个接合焊盘电连接。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在形成再分布线的步骤期间,所述金属支柱用作对准标记。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在移除所述模塑料的所述部分的步骤之后,形成穿透所述介电层的金属支柱,所述金属支柱与所述多个接合焊盘电连接。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,移除所述模塑料的所述部分的步骤包括:在所述模塑料上实施化学机械抛光(CMP)。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在形成再分布线的步骤之后,在所述再分布线的上方形成金属凸块,所述金属凸块与所述再分布线电连接。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:卸下所述载体。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述介电层的厚度大于大约10μm。
9.一种方法,包括:
提供载体,在所述载体上设置有粘结层;
提供多个管芯,所述多个管芯中的每个管芯都包括:
衬底;
多个接合焊盘,位于所述衬底上方;
介电层,位于所述多个接合焊盘上方;以及
多个金属支柱,位于所述介电层中,并与所述多个接合焊盘电连接;
将所述多个管芯置于所述粘结层上,所述多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向所述粘结层;
将模塑料填入所述多个管芯之间,其中,所述模塑料覆盖所述多个管芯中的每个管芯的介电层;
对所述模塑料实施平坦化,直到暴露所述多个金属支柱;以及
在所述多个金属支柱上方形成再分布线,所述再分布线与所述多个金属支柱电连接。
10.一种方法,包括:
提供载体,在所述载体上设置有粘结层;
提供多个管芯,所述多个管芯中的每个管芯都包括:
衬底;
多个接合焊盘,位于所述衬底上方;以及
介电层,位于所述多个接合焊盘上方;
将所述多个管芯置于所述粘结层上,所述多个管芯中的每个管芯的衬底的底面面向所述粘结层;
将模塑料填入所述多个管芯之间,其中,所述模塑料覆盖所述多个管芯中的每个管芯的介电层;
对所述模塑料实施平坦化,直到暴露所述介电层;
蚀刻所述介电层的暴露部分,以形成多个开口,从而暴露所述多个接合焊盘;以及
在所述多个开口中形成多个导电支柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





