[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110165818.5 申请日: 2011-06-14
公开(公告)号: CN102479798A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 朴鲜;朴钟贤;李律圭;金大宇 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明总体上涉及一种具有用作电容器的一个电极的半导体层的有机发光二极管(OLED)显示器和一种制造该OLED显示器的方法。

背景技术

由于有机发光二极管(OLED)显示器的优点,例如宽视角、快速响应速率和相对较小的功耗以及较轻的重量和纤薄的尺寸,所以有机发光二极管(OLED)显示器作为下一代显示器而备受关注。

有机发光二极管(OLED)显示器包括薄膜晶体管、有机发光元件和电容器。这里,电容器的两个电极可以由金属层制成,或者一个电极可以由金属层制成,另一个电极可以由半导体层制成。

另一方面,当半导体层作为电容器的一个电极时,半导体层通常掺杂有杂质,以提高导电率。然而,如果由于制造工艺的局限性而没有将杂质掺杂到半导体层的用作电容器一个电极的一部分,则有机发光二极管(OLED)显示器的整体特性劣化。

在该背景技术部分公开的上述信息仅是为了加强对所描述的技术背景的理解,因此它可能包含不构成在这个国家对本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。

发明内容

示例性实施例提供了一种由于在用作电容器一个电极的半导体层的一部分处未掺杂杂质而使劣化的产生受到抑制的有机发光二极管(OLED)显示器。

另外,提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法。

根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括:基底;半导体层图案,形成在所述基底上,并包括第一电容器电极;栅极绝缘层,覆盖所述半导体层图案;第一导电层图案,形成在所述栅极绝缘层上,并包括第二电容器电极,所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分;层间绝缘层,具有暴露所述第二电容器电极的一部分的电容器开口,并覆盖所述第二电容器电极;第二导电层图案,形成在所述层间绝缘层上,其中,所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁,所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置,所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置,所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。

与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极可以是掺杂有杂质的半导体层。

另外,根据另一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括:基底;半导体层图案,形成在所述基底上,并包括第一电容器电极;栅极绝缘层,覆盖所述半导体层图案;第一导电层图案,形成在所述栅极绝缘层上,并包括第二电容器电极,所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分;层间绝缘层,包括电容器开口和至少一个掺杂孔并覆盖所述第二电容器电极,所述电容器开口暴露所述第二电容器电极的一部分,所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极的靠近所述电容器开口的一部分;第二导电层图案,形成在所述层间绝缘层上。

与至少一个掺杂孔叠置的所述第一电容器电极可以是掺杂有杂质的半导体层。

所述第一导电层图案的区域的一部分可以由单个透明导电层形成,所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。

所述电容器开口可以通过蚀刻工艺形成,所述蚀刻工艺可以包括使用含有氢氟酸(HF)的溶液的清洗工艺。

所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比相对更容易地被含有氢氟酸(HF)的溶液腐蚀。

所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层可以包括铝。

所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的一部分可以由单个透明导电层形成。

与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的一部分叠置的第一电容器电极可以掺杂有杂质。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110165818.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top