[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110165818.5 申请日: 2011-06-14
公开(公告)号: CN102479798A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 朴鲜;朴钟贤;李律圭;金大宇 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:

基底;

半导体层图案,形成在所述基底上,并包括第一电容器电极;

栅极绝缘层,覆盖所述半导体层图案;

第一导电层图案,形成在所述栅极绝缘层上,并包括第二电容器电极,所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分;

层间绝缘层,具有暴露所述第二电容器电极的一部分的电容器开口,并覆盖所述第二电容器电极;

第二导电层图案,形成在所述层间绝缘层上,

其中,所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁,所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置,所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置,所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,与所述电容器开口的所述纵向侧壁叠置的第一电容器电极是掺杂有杂质的半导体层。

3.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:

基底;

半导体层图案,形成在所述基底上,并包括第一电容器电极;

栅极绝缘层,覆盖所述半导体层图案;

第一导电层图案,形成在所述栅极绝缘层上,并包括第二电容器电极,所述第二电容器电极具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分;

层间绝缘层,包括电容器开口和至少一个掺杂孔并覆盖所述第二电容器电极,所述电容器开口暴露所述第二电容器电极的一部分,所述至少一个掺杂孔与所述第二电容器电极和所述第一电容器电极叠置且暴露所述第二电容器电极的靠近所述电容器开口的一部分;

第二导电层图案,形成在所述层间绝缘层上。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,与所述至少一个掺杂孔叠置的第一电容器电极是掺杂有杂质的半导体层。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一导电层图案的区域的一部分由单个透明导电层形成,所述区域的另一部分由透明导电层和沉积在透明导电层上的多个金属层形成。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述电容器开口通过蚀刻工艺形成,所述蚀刻工艺包括使用含有氢氟酸的溶液的清洗工艺。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层与所述最高层相比相对更容易地被所述含有氢氟酸的溶液腐蚀。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述多个金属层中的除了最高层之外的至少一个金属层包括铝。

9.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一导电层图案的所述第二电容器电极的通过所述电容器开口暴露的所述一部分由单个透明导电层形成。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中,与由所述单个透明导电层形成的所述第二电容器电极的所述一部分叠置的第一电容器电极掺杂有杂质。

11.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法,所述方法包括:

提供基底;

在所述基底上形成包括第一电容器电极的半导体层图案;

形成覆盖所述半导体层图案的栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成包括第二电容器电极中间件的第一导电层图案中间件,所述第二电容器电极中间件具有与所述第一电容器电极叠置的至少一部分;

形成层间绝缘层,所述层间绝缘层具有暴露所述第二电容器电极中间件的一部分的电容器开口并覆盖所述第一导电层图案中间件;

在所述层间绝缘层上形成第二导电层图案的同时,部分地蚀刻所述第一导电层图案中间件,从而完成包括第二电容器电极的第一导电层图案,

其中,所述电容器开口包括第一横向侧壁、第二横向侧壁和纵向侧壁,所述第一横向侧壁与所述第二电容器电极平行且叠置,所述第二横向侧壁与所述第二电容器电极平行且不叠置,所述纵向侧壁将所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁彼此连接且与所述第一电容器电极叠置。

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